[发明专利]一种基于键合工艺的热式风速风向传感器及其制备方法有效
申请号: | 201811072690.6 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109384189B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 陈蓓;朱雁青;袁宁一;丁建宁 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | G01P5/12 | 分类号: | G01P5/12;B81B1/00;B81C3/00;G01P13/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 工艺 风速 风向 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于键合工艺的热式风速风向传感器的制备方法,其特征是:具有如下步骤:
a、清洗硅圆片,在硅圆片表面旋涂光刻胶层,并曝光进行图形化,露出需要刻蚀的硅衬底;
b、刻蚀掉硅圆片的硅衬底部分,形成硅柱;
c、利用键合工艺,将二氧化硅绝热层与带有硅柱的硅圆片进行键合;
d、采用腐蚀与研磨方法双面减薄上述键合后的结构,其中硅圆片减薄至硅柱的下端面露出二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层减薄至硅柱上端面保留一层薄的二氧化硅;
e、利用溅射工艺,在二氧化硅绝热层背面对应硅柱所在位置,分别制备中心测温元件、加热元件和上下游测温元件。
2.根据权利要求1所述热式风速风向传感器的制备方法,其特征是:步骤c中的键合工艺在真空环境下进行,二氧化硅绝热层在重力作用下流入硅圆片表面的空隙中,键合结束后,进熔炉中进行回流处理。
3.根据权利要求1所述热式风速风向传感器的制备方法,其特征是:步骤d中,减薄二氧化硅绝热层时硅柱上端面所保留的二氧化硅的厚度为10微米。
4.根据权利要求1所述热式风速风向传感器的制备方法,其特征是:步骤e中,溅射工艺所采用的金属为铂。
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