[发明专利]抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体

权利要求书

1.一种抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，包括：基板、多个复合弹性单元，所述复合弹性单元按照二维晶格周期排列在基板上，其中，所述复合弹性单元包括至少两个叠加的不同材料层，所述材料层包括：金属层和弹性材料层。

2.根据权利要求1所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述复合弹性单元与基板接触连接的材料层为弹性材料层，所述弹性材料层与所述金属层交替叠加，以构成所述复合弹性单元，且所述复合弹性单元远离基板的最顶层材料层为金属层。

3.根据权利要求1所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述复合弹性单元的材料层的层数包括：2层、4层、6层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述材料层的横截面的形状包括：圆形、椭圆形、矩形、菱形、三角形、六边形中的任一种。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述二维晶格的形状包括：长方形、正方形、六边形。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述金属层的材料为合金。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述弹性材料层的材料为硅橡胶。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述基板的材料为铝。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的抑制多波段低频弯曲振动的声子晶体，其特征在于，所述声子晶体的晶格常数a为0.01m，基板厚度为0.1a～0.3a；所述复合弹性单元的总体厚度为0.05～0.3a；

当所述复合弹性单元的横截面为圆形时，金属层的半径为0.1a～0.4a。