[发明专利]一种带温度保护的充电控制电路及电子产品

权利要求书

1.一种带温度保护的充电控制电路，其特征在于，包括：

参考温度配置电路，其设置有第一分压电阻和第二分压电阻，所述第二分压电阻的一端连接充电接口的电源引脚，另一端通过第一分压电阻接地，第一分压电阻和第二分压电阻的中间节点输出温度参考电平；

温度检测电路，其设置有热敏电阻和第三分压电阻，所述热敏电阻的一端连接所述充电接口的电源引脚，另一端通过所述第三分压电阻接地，或者，所述第三分压电阻的一端连接所述充电接口的电源引脚，另一端通过所述热敏电阻接地；所述热敏电阻和第三分压电阻的中间节点输出温度实测电平；所述温度实测电平与温度参考电平的差值的绝对值随电池温度的升高而增大，并在电池温度超过安全阈值时，升高到开关电路动作阈值；其中，所述第三分压电阻的阻值等于所述第二分压电阻的阻值；所述热敏电阻在常温下的阻值等于所述第一分压电阻的阻值；

开关电路，其连接在充电管理芯片或电池的充电回路中，并受控于所述参考温度配置电路输出的温度参考电平以及温度检测电路输出的温度实测电平；所述开关电路在所述温度实测电平与温度参考电平的差值的绝对值升高到开关电路动作阈值时，切断所述充电管理芯片或电池的充电回路，执行过热保护；其包括：

开关管，其连接所述参考温度配置电路和温度检测电路，其通断状态受控于所述参考温度配置电路输出的温度参考电平以及温度检测电路输出的温度实测电平，所述开关电路动作阈值等于所述开关管的导通压降；

电源开关，其连接在所述充电管理芯片或电池的充电回路中，用于改变所述充电回路的通断状态，所述电源开关的通断状态受控于所述开关管的通断状态。

2.根据权利要求1所述的带温度保护的充电控制电路，其特征在于，所述开关管为NPN型三极管或NMOS管，所述电源开关为PMOS管，所述温度检测电路输出的温度实测电平随电池温度的升高而增大；

当所述开关管为NPN型三极管时，所述NPN型三极管的基极接收所述温度检测电路输出的温度实测电平，发射极接收所述参考温度配置电路输出的温度参考电平，并通过下拉电阻接地，集电极连接所述PMOS管的源极，并连接所述充电接口的电源引脚；所述PMOS管的栅极连接所述NPN型三极管的发射极，所述PMOS管的漏极连通所述充电管理芯片或电池；

当所述开关管为NMOS管时，所述NMOS管的栅极接收所述温度检测电路输出的温度实测电平，源极接收所述参考温度配置电路输出的温度参考电平，并通过下拉电阻接地，漏极连接所述PMOS管的源极，并连接所述充电接口的电源引脚；所述PMOS管的栅极连接所述NMOS管的源极，所述PMOS管的漏极连通所述充电管理芯片或电池。

3.根据权利要求2所述的带温度保护的充电控制电路，其特征在于，

在所述参考温度配置电路中，所述第一分压电阻和第二分压电阻的中间节点连接一二极管的阳极，所述二极管的阴极连接所述NPN型三极管的发射极或所述NMOS管的源极；

在所述温度检测电路中，所述热敏电阻的一端连接所述充电接口的电源引脚，另一端通过所述第三分压电阻接地，所述热敏电阻为负温度系数的热敏电阻，其与第三分压电阻的中间节点连接所述NPN型三极管的基极或所述NMOS管的栅极。

4.根据权利要求1所述的带温度保护的充电控制电路，其特征在于，所述开关管为NPN型三极管或NMOS管，所述电源开关为PMOS管，所述温度检测电路输出的温度实测电平随电池温度的升高而减小；

当所述开关管为NPN型三极管时，所述NPN型三极管的基极接收所述参考温度配置电路输出的温度参考电平，发射极接收所述温度检测电路输出的温度实测电平，并通过下拉电阻接地，集电极连接所述PMOS管的源极，并连接所述充电接口的电源引脚；所述PMOS管的栅极连接所述NPN型三极管的发射极，所述PMOS管的漏极连通所述充电管理芯片或电池；

当所述开关管为NMOS管时，所述NMOS管的栅极接收所述参考温度配置电路输出的温度参考电平，源极接收所述温度检测电路输出的温度实测电平，并通过下拉电阻接地，漏极连接所述PMOS管的源极，并连接所述充电接口的电源引脚；所述PMOS管的栅极连接所述NMOS管的源极，所述PMOS管的漏极连通所述充电管理芯片或电池。