[发明专利]综合孔径辐射计虚拟相关稀疏成像方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811016821.9 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN109061645B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 申艳;刘静;娄淑琴;陈莹;郝晓莉;侯亚丽;陈后金;闻映红;张超;黄亮 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G01S13/90 分类号: G01S13/90
代理公司: 北京市商泰律师事务所 11255 代理人: 邹芳德
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 综合 孔径 辐射计 虚拟 相关 稀疏 成像 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种综合孔径辐射计虚拟相关稀疏成像方法,其特征在于,该方法包括如下流程步骤:

步骤S110:构建稀疏天线阵列,对待成像地面场景进行观测,获取辐射观测信号;

步骤S120:对所述辐射观测信号两两进行复相关,得到所述稀疏天线阵列观测到的可见度函数;

步骤S130:在可见度函数实测点的周围进行插值,确定待插值点位置,模拟待插值点位置的可见度函数值,得到插值后的可见度函数;

步骤S140:对所述插值后的可见度函数进行傅里叶反变换,得到重建的地面场景亮温图;

稀疏天线阵列采用22单元的“Y”型稀疏阵列方式;

步骤S120具体包括:

对所述观测信号两两进行复相关,得到稀疏天线阵列观测到的可见度函数V,可见度函数所在的平面被称为uv平面;

步骤S130中,所述可见度函数值的模拟具体包括:

步骤S131:在所述uv平面选取偏移量d,根据实测点位置为(u0,v0),确定待插入点位置(u',v');

其中,所述待插入点位置(u',v')为:

(u0+d,v0+d)、(u0+d,v0-d)、(u0-d,v0+d)或(u0-d,v0-d)中的一种;

步骤S132:根据待插值点的位置(u',v'),计算对应的基线位置(x',y');

步骤S133:根据实测点(u0,v0)处的可见度函数V,确定待插值点处的可见度函数值V';

基线位置(x',y')的计算方法为:x'=u'×λ,y'=v'×λ,其中,λ表示所述观测信号的波长;

步骤S133具体包括:

根据待插值点与实测点间的距离差,对实测点处可见度函数值进行相位偏移和幅度矫正,得到待插值点处的虚拟相关值,作为所述可见度函数值V';

步骤S140具体包括:

地面场景T(x,y)与可见度函数V(u,v)存在以下对应关系:

其中,j表示复数虚部;

根据所述对应关系,对插值点的可见度函数进行傅里叶反变换,即可得到地面场景亮温图;

待成像地面场景为根据地面不同物体的反射率构建的仿真地面场景;或者,

所述待成像地面场景为实际地面场景,还包括:

天线接收单元,用于对待成像地面场景进行观测,获取辐射观测信号;

复相关单元,用于对所述辐射观测信号进行两两复相关,获取实际点的可见度函数;

虚拟相关插值单元,用于对实际点的可见度函数进行虚拟相关插值,增加虚拟采样点,获取插值后的可见度函数;

场景重建单元,用于对所述插值后的可见度函数进行傅里叶反变换,获取地面场景亮温图;

地面场景模拟单元,用于根据地面不同物体的反射率,构建仿真地面场景。

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