[发明专利]综合孔径辐射计虚拟相关稀疏成像方法及系统有效
| 申请号: | 201811016821.9 | 申请日: | 2018-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN109061645B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 申艳;刘静;娄淑琴;陈莹;郝晓莉;侯亚丽;陈后金;闻映红;张超;黄亮 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
| 主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90 |
| 代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 邹芳德 |
| 地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 综合 孔径 辐射计 虚拟 相关 稀疏 成像 方法 系统 | ||
1.一种综合孔径辐射计虚拟相关稀疏成像方法,其特征在于,该方法包括如下流程步骤:
步骤S110:构建稀疏天线阵列,对待成像地面场景进行观测,获取辐射观测信号;
步骤S120:对所述辐射观测信号两两进行复相关,得到所述稀疏天线阵列观测到的可见度函数;
步骤S130:在可见度函数实测点的周围进行插值,确定待插值点位置,模拟待插值点位置的可见度函数值,得到插值后的可见度函数;
步骤S140:对所述插值后的可见度函数进行傅里叶反变换,得到重建的地面场景亮温图;
稀疏天线阵列采用22单元的“Y”型稀疏阵列方式;
步骤S120具体包括:
对所述观测信号两两进行复相关,得到稀疏天线阵列观测到的可见度函数V,可见度函数所在的平面被称为uv平面;
步骤S130中,所述可见度函数值的模拟具体包括:
步骤S131:在所述uv平面选取偏移量d,根据实测点位置为(u0,v0),确定待插入点位置(u',v');
其中,所述待插入点位置(u',v')为:
(u0+d,v0+d)、(u0+d,v0-d)、(u0-d,v0+d)或(u0-d,v0-d)中的一种;
步骤S132:根据待插值点的位置(u',v'),计算对应的基线位置(x',y');
步骤S133:根据实测点(u0,v0)处的可见度函数V,确定待插值点处的可见度函数值V';
基线位置(x',y')的计算方法为:x'=u'×λ,y'=v'×λ,其中,λ表示所述观测信号的波长;
步骤S133具体包括:
根据待插值点与实测点间的距离差,对实测点处可见度函数值进行相位偏移和幅度矫正,得到待插值点处的虚拟相关值,作为所述可见度函数值V';
步骤S140具体包括:
地面场景T(x,y)与可见度函数V(u,v)存在以下对应关系:
其中,j表示复数虚部;
根据所述对应关系,对插值点的可见度函数进行傅里叶反变换,即可得到地面场景亮温图;
待成像地面场景为根据地面不同物体的反射率构建的仿真地面场景;或者,
所述待成像地面场景为实际地面场景,还包括:
天线接收单元,用于对待成像地面场景进行观测,获取辐射观测信号;
复相关单元,用于对所述辐射观测信号进行两两复相关,获取实际点的可见度函数;
虚拟相关插值单元,用于对实际点的可见度函数进行虚拟相关插值,增加虚拟采样点,获取插值后的可见度函数;
场景重建单元,用于对所述插值后的可见度函数进行傅里叶反变换,获取地面场景亮温图;
地面场景模拟单元,用于根据地面不同物体的反射率,构建仿真地面场景。
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