[发明专利]一种DRAM PUF测试系统及其DRAM PUF提取方法有效
| 申请号: | 201811009811.2 | 申请日: | 2018-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN109299622B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 李冰;徐叶菡;熊琅钰;陈帅;董乾;刘勇;张林;王亚洲;沈克强;王刚;赵霞 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | G06F21/73 | 分类号: | G06F21/73 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 朱桢荣 |
| 地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 dram puf 测试 系统 及其 提取 方法 | ||
本发明公开了一种DRAM PUF测试系统,包括DRAM、CPU端和GPU端,CPU端包括UART数据获取模块和Mailbox数据发送模块,GPU端包括Mailbox数据接收模块、DRAM初始化模块、DRAM刷新控制模块、CPU代码手动刷新模块和DRAM内容读取模块;本发明还公开了一种DRAM PUF提取方法,实现在启动阶段与运行阶段均进行DRAM PUF的提取。尤其在运行阶段,在DRAM停止刷新的情况下,能够通过手动刷新保证原有运行代码的不丢失,进行正常的DRAM PUF测试流程,并通过串口打印最终结果。
技术领域
本发明涉及嵌入式系统安全领域,特别是一种基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统及其DRAM PUF提取方法。
背景技术
近年来,随着物联网技术的迅速发展,嵌入式设备的需求也随之激增,开始广泛地被应用于日常生活的各个领域,而与此同时,嵌入式系统的安全性引起了人们的重视,由于现在多种攻击方式的盛行,嵌入式系统在工作环境中很容易受到各种攻击而丧失安全性。在传统电子器件的安全措施中,密钥等重要数据主要存储于EEPROM、Flash等非易失性存储器(Non-volatile Memory,NVM)中,而NVM存储设备易受侵入攻击而被侵入者获取密钥等重要数据,加上常用的加密算法往往是公开的,因此密钥的泄漏往往会直接导致整个系统安全性的崩溃,嵌入式设备的信息安全受到极大的威胁。通过利用物理实体的内在物理构造差异这一特性,物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)的概念被提了出来。它为保护硬件安全提供了一种有效的、全新的方法。
PUF是一个物理函数,它利用了物理个体的某些物理差异,用来决定激励和响应之间的映射关系,对于一个给定的已知激励,函数将会产生一个唯一对应的响应。PUF的本质可以看做是一种芯片指纹,而在IC制造过程中,这个指纹则来源于一些无法预测、复制和控制的细微制造差异,从而能够抵御针对NVM的物理攻击。
而截至目前,大多数的PUF种类结构,都需要添加新的硬件,或者利用FPGA来实现,并且其中的大多数只有在上电时才能够被访问,而DRAM PUF是基于DRAM单元停止刷新的延时掉电特性而进行提取的,由于DRAM是目前较为广泛存在于嵌入式系统中的用于存储数据的硬件设备,进行DRAM PUF的提取不需要额外的硬件或FPGA电路,并且它的构造可以实现在Linux运行时也能够被查询,相比较于其他PUF来说,DRAM PUF在消费电子设备以及嵌入式设备中有着较为宽广的应用前景。
Raspberry Pi B+是树莓派系列中的一款开发板,是深受广大嵌入式系统开发爱好者喜爱的一款设备,它的内存则是由512M大小的DRAM构成,因此理论上来说可以通过固件或内核获取到DRAM控制器的接口,从而控制DRAM刷新过程,提取PUF。但由于树莓派官方提供的各个版本内核源码中,均未公开DRAM控制器的驱动部分,设备树信息也并未给出,因此无法在官方内核中插入kernel module来实现对DRAM的控制、读写操作。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种基于RaspberryPi B+的DRAM PUF测试系统及其DRAM PUF提取方法,在启动阶段以及运行阶段均可以实现DRAM的控制并提取DRAM PUF,并在测量全过程中保持系统原有代码正常运行。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案:
根据本发明提出的一种基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统,包括DRAM、CPU端和GPU端,CPU端包括UART数据获取模块和Mailbox数据发送模块,GPU端包括Mailbox数据接收模块、DRAM初始化模块、DRAM刷新控制模块、CPU代码手动刷新模块和DRAM内容读取模块;其中,
DRAM初始化模块,用于在启动阶段以及运行阶段对指定待测试DRAM区域进行初始化操作,将全0或全1写入待测试DRAM区域;
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