[发明专利]TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺在审
申请号: | 201810973020.5 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109174996A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 常艳超;臧卫祥;尤小磊;丁静仁;程小明;徐东起;王冬振;董意男;董常亮;高奇峰 | 申请(专利权)人: | 爱发科电子材料(苏州)有限公司 |
主分类号: | B21C37/02 | 分类号: | B21C37/02 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 张欢勇 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝板 压延 半成品 配线层 高纯铝 靶材 控温 铝锭 校直 加热 成品步骤 冷却步骤 适用条件 作业步骤 下压量 压制 | ||
本发明公开了一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺,包括步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤,将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断,形成半成品铝板;步骤二、冷却步骤,将半成品铝板进行自然冷却步骤;步骤三、半成品铝板形成成品步骤,将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断,形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材,其中最后一次的压制展延的下压量为X,50%<X<70%。用以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。
技术领域
本发明涉及TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺。
背景技术
TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材由高纯度的铝锭构成,铝锭的含铝量在99.999%,一般铝锭的尺寸为:宽度(1000mm-1500mm)*长度(1800mm-3000mm)*厚度(300mm-500mm)。而目前在将铝锭制作成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材时,目前的工艺无法使铝锭原料满足TFT液晶面板配线层的以下适用条件:(1)材料平均晶粒≤200μm,(2)材料各层晶粒大小稳定,(3)晶粒粒径要圆润,大小相近。
发明内容
为克服上述缺点,本发明的目的在于提供一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺,用以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。
为了达到以上目的,本发明采用的技术方案是:一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺,包括步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤,将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断,形成半成品铝板,加热的目的是为了解决铝锭需要热压延,常温压延会发生边缘开裂,咬入困难,塑形变形差的问题;步骤二、冷却步骤,将半成品铝板进行自然冷却步骤;步骤三、半成品铝板形成成品步骤,将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断,将半成品铝板加热的目的是,可加大压下量,保证塑性的变形,形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材,其中最后一次的压制展延的下压量为X,50%<X<70%。
本发明TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺的有益效果是,将最后一道次的压下量控制在50%-70%之间,可以保证板材的晶粒在规格要求内,以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。
优选地,所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的加热所需的环境温度相同。铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热是因为纯铝要达到再结晶温度;半成品铝板形成成品步骤中的加热因为设备的原因,需要进行切断,切断后产品的温度发生变化,需要将温度控制相同,保证品质。
优选地,所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的校直需要保证铝锭板材、半成品铝板板材的平整度,适用于TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材的要求。
优选地,所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的压延包括至少一次调整下压道次、多次连续下压道次,所述至少一次调整下压道次、多次连续下压道次的压下率逐渐增大。具体的调整下压道次的数量、连续下压道次的数量可以根据铝锭的尺寸以及产品最终所需达到的厚度而定,下一次下压的压下率需要大于上一次的压下率,以保证铝锭能较好的被压制展延。
优选地,所述半成品铝板形成成品步骤中的压延包括至少两次下压道次,具体的下压道次数量可以根据成品铝板所需的厚度而定,所述至少两次下压道次的压制展延压下率逐渐增大,同样,用以保证半成品铝板能较好的被压制展延。
附图说明
图1为最后一道次压延量在15%时的晶粒照片;
图2为最后一道次压延量在30%时的晶粒照片;
图3为最后一道次压延量在50%时的晶粒照片;
图4为最后一道次压下量在60%时的晶粒照片。
具体实施方式
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