[发明专利]一种制备含碳化硅体的方法

说明书

一种制备含碳化硅体的方法，该方法包括：a)提供具有硅源和碳源的混合物，其中硅源和碳源一起存在于固体颗粒材料的颗粒中；b)将在工艺步骤a)中提供的混合物层置于载体上，其中混合物层具有预定厚度；c)局部限制处理在工艺步骤b)中处理的混合物，温度范围为约1800℃‑2500℃。根据预定的空间图案，其中基于待生产的身体的空间配置来选择预定的空间图案。

技术领域

本发明涉及碳化硅生产技术领域，特别涉及一种制备含碳化硅体的方法。

背景技术

诸如部件或其部件的主体经常受到高热，机械或化学影响。因此，这种物体应由稳定可靠的材料制成。在这种情况下，这种主体可以具有易于制造的形状，或者可以具有对主体制造提出高要求的尺寸或几何形状。允许结合身体的上述特性的制造方法通常难以实施或成本高。

在生产含碳化硅-机构的改进。特别是，即使是小而复杂的尺寸或几何形状，在制造过程的容易性和成本效率方面还有进一步改进的潜力。

发明内容

本发明通过一种用于制造含碳化硅的主体的方法来实现，的目的是提供一种解决方案，通过该解决方案，可以以简单且成本有效的方式生产甚至具有小尺寸和复杂几何形状的含碳化硅的主体。

为实现上述目的，本发明提供一种用于制造含碳化硅的体的方法，包括以下步骤：

a)提供具有硅源和碳源的混合物，其中硅源和碳源一起存在于粒子中固体颗粒材料；b)将工艺步骤a)中提供的混合物层设置在载体上，其中混合物层具有预定厚度；c)在工艺步骤b)中处理的混合物的局部限制处理，温度范围1800℃-2500℃；根据预定的空间图案，其中基于待生产的身体的空间配置来选择预定的空间图案。

通过前述方法，可以特别容易地制造具有良好稳定性的碳化硅体，其中即使是小尺寸和复杂的几何形状也可以容易地成形。

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

本发明的优选实施例一种用于制造含碳化硅的体的方法，包括以下步骤：

a)提供具有硅源和碳源的混合物，其中硅源和碳源一起存在于粒子中固体颗粒材料；b)将工艺步骤a)中提供的混合物层设置在载体上，其中混合物层具有预定厚度；c)在工艺步骤b)中处理的混合物的局部限制处理，温度范围为1800℃-2500℃；根据预定的空间图案，其中基于待生产的身体的空间配置来选择预定的空间图案。

通过前述方法，可以特别容易地制造具有良好稳定性的碳化硅体，其中即使是小尺寸和复杂的几何形状也可以容易地成形。

详细地，该方法包括根据方法步骤a)最初提供硅源和碳源的混合物，其中硅源和碳源一起以固体粒状材料的颗粒存在。

因此，特别优选的是，固体颗粒材料的每个颗粒包括碳源和硅源。硅源和碳源用于通过碳源与硅源在另一过程中的反应来生产碳化硅。

应有利地选择硅源和碳源，使得它们能够通过上述方法在下述条件下，特别是在接下来的温度，大约在大气压(1巴)下形成碳化硅。。

特别地，固体中的硅源可以是纯硅或二氧化硅，并且固体中的碳源可以是纯碳，其中固体颗粒可以例如通过溶胶-凝胶工艺形成，如下文详细描述的。例如，固体颗粒可以由硅，碳和任选的一种掺杂剂或更多种掺杂剂组成，如下面详细描述的，或者可以构成至少大部分，例如在≥90wt％的范围内。