[发明专利]一种新型非接触应答器高速接收电路在审

专利信息
申请号: 201810948059.1 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN110852122A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 孙志亮;霍俊杰;朱永成;豆玉娇 申请(专利权)人: 紫光同芯微电子有限公司
主分类号: G06K7/10 分类号: G06K7/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区五*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 接触 应答器 高速 接收 电路
【权利要求书】:

1.一种新型非接触应答器高速接收电路,其特征在于,所述新型非接触应答器高速接收电路包括应答器外部主线圈天线和外部副线圈天线组成的谐振电路, 还包括解调电路,其中,应答器外部主线圈天线和外部副线圈天线组成的谐振电路包括第一线圈天线、第二线圈天线、第一电容器、第二电容器、第一电阻器和第一限幅电路,第一线圈天线的一端与第一电容器的一端相连接,第一线圈天线的另一端与第一电容器的另一端相连接,第二线圈天线的一端与第一电阻器的一端相连接,第二线圈天线的另一端与第二电容器的一端相连接,第一电阻器的另一端与第二电容器的另一端相连接,第一限幅电路的两输入端分别与第一线圈天线的两端相连接,第一限幅电路的地端与地端VSS相连接;

解调电路包括第三电容器、第四电容器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第二电阻器、第三电阻器和第一迟滞比较器,其中,第一NMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端与谐振电路中第二电容器的一端相连接,第二NMOS晶体管的栅端、第二NMOS晶体管的漏端与谐振电路中第二电容器的另一端相连接,第一NMOS晶体管的源端、第二NMOS晶体管的源端、第三电容器的一端与第二电阻器的一端相连接,第三电容器的另一端、第四电容器的一端、第三电阻器的一端与迟滞比较器的负输入端相连接,第四电容器的另一端、第二电阻器的另一端与地端VSS相连接,第三电阻器的另一端、迟滞比较器的正输入端与参考电压相连接,迟滞比较器的一端为输出端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于紫光同芯微电子有限公司,未经紫光同芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810948059.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top