[发明专利]过电流保护电路以及其方法

权利要求书

1.一种过电流保护方法，适用于采用电源传输协议的一通用串行总线，上述过电流保护方法包括：

一过电流保护电路的一电压转换芯片将一输入电压转换为一第一电压以对一第一电子装置供电，其中上述输入电压由一第二电子装置所提供；

上述过电流保护电路的一第一电流检测电路判断上述第一电子装置所产生的一工作电流是否大于一第一既定值；

上述电压转换芯片判断上述第一电子装置所产生的上述工作电流是否大于一第二既定值，其中上述第二既定值小于上述第一既定值；

响应于上述工作电流大于上述第一既定值时，上述第一电流检测电路产生一第一感测信号以关闭一开关，使得上述第一电子装置与上述第二电子装置之间形成开路；以及

响应于上述工作电流大于上述第二既定值时，上述电压转换芯片通过内建的过电流保护功能自动停止将上述输入电压转换为上述第一电压。

2.如权利要求1所述的过电流保护方法，上述过电流保护方法还包括：

通过一第二电流检测电路判断上述第一电子装置所产生的上述工作电流是否大于一第三既定值，其中上述第三既定值小于上述第二既定值；

响应于上述工作电流大于上述第三既定值时，上述第二电流检测电路产生一第二感测信号；

通过一微控制器在接收到上述第二电流检测电路所输出的上述第二感测信号后开始计时；以及

响应于上述微控制器持续接收到上述第二感测信号超过一既定时间时，上述微控制器关闭上述开关。

3.如权利要求2所述的过电流保护方法，其中上述开关包括一第一金属氧化物半导体晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管。

4.如权利要求3所述的过电流保护方法，其中上述第一电流检测电路以及上述第二电流检测电路分别包括一第一比较器以及一第二比较器。

5.如权利要求4所述的过电流保护方法，其中上述第一金属氧化物半导体晶体管具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极以及上述第二金属氧化物半导体晶体管具有一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极，上述第一漏极耦接至上述电压转换芯片的一输出端，上述第一源极耦接至上述第二源极，上述第一栅极与上述第二栅极耦接至上述第一电流检测电路的一第一输出端与上述微控制器的一信号输出端，以及上述第二栅极与上述第一电流检测电路、上述第二电流检测电路以及上述第一电子装置耦接。

6.一种过电流保护电路，适用于采用电源传输协议的一通用串行总线，上述过电流保护电路包括：

一受电端，上述受电端与一第一电子装置连接；

一供电端，上述供电端与一第二电子装置连接，并由上述第二电子装置提供一输入电压；

一电压转换芯片，上述电压转换芯片用以将上述输入电压转换为一第一电压，以对上述第一电子装置供电；

一开关，上述开关耦接于上述受电端与上述电压转换芯片之间；以及

一第一电流检测电路，上述第一电流检测电路耦接于上述受电端以及上述开关之间，用以判断上述第一电子装置所产生的一工作电流是否大于一第一既定值；

其中，响应于上述第一电子装置的上述工作电流大于上述第一既定值时，上述第一电流检测电路产生一第一感测信号以关闭上述开关；

其中，上述电压转换芯片判断上述第一电子装置的上述工作电流是否大于一第二既定值；并且

其中，响应于上述第一电子装置的上述工作电流大于上述第二既定值时，上述电压转换芯片通过内建的过电流保护功能自动停止将上述输入电压转换为上述第一电压，其中上述第二既定值小于上述第一既定值。