[发明专利]检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置和方法

说明书

本发明涉及一种检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置和方法。该装置包括：测试管，固定测量系统，控制采集系统、高斯计和高斯探头；控制采集系统与高斯计连接；高斯计与高斯探头连接；控制采集系统包括：外磁场和控制分析设备；外磁场，用于产生磁场；固定测量系统，用于固定外磁场和高斯探头；测试管位于磁场下，测试管为标准管，或者，样品管；高斯探头位于测试管内；高斯探头，用于测试磁场强度，磁场场强测试结果通过高斯计传至控制采集系统；控制分析设备，用于通过所述高斯计获取磁场强度，分析屏蔽后磁场场强，得到屏蔽效果。本申请的装置和方法可以比较不同超薄软磁性材料的在低磁场下的磁屏蔽性能。

技术领域

本发明涉及传感器技术，尤其涉及一种检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置和方法。

背景技术

例如坡莫合金材料其最大特点是具有很高的弱磁场导磁率。

但是坡莫合金的生产过程比较复杂，板材轧制的工艺、退火温度、时间、退火后的冷却快慢等都对材料最终的磁性能有很大影响，另外部分坡莫合金具有很好的塑性，甚至可以加工成1μm的超薄带使用。

对于这类片状材料，常规磁导率检测装置对于低磁场下的磁导率曲线比较难测，对样品形态、规格和体积有较高要求。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了测试屏蔽效果，本发明提供一种检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置和方法。

(二)技术方案

为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：

一种检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置，包括：测试管，固定测量系统，控制采集系统、高斯计和高斯探头；

所述控制采集系统与所述高斯计连接；

所述高斯计与所述高斯探头连接；

所述控制采集系统包括：外磁场和控制分析设备；

所述外磁场，用于产生磁场；

所述固定测量系统，用于固定所述外磁场和所述高斯探头的位置；

所述测试管位于所述磁场下，所述测试管为标准管，或者，样品管；

所述高斯探头位于所述测试管内；

所述高斯探头，用于测试磁场强度；

所述控制分析设备，用于通过所述高斯计获取磁场强度，分析屏蔽前后磁场强度，得到屏蔽效果。

可选地，所述样品管的尺寸刻度与所述标准管的尺寸刻度满足第一预设关系。

可选地，所述固定测量系统通过支架固定所述外磁场和探头的位置。

可选地，所述测试管为非金属材质。

可选地，第一预设关系为：所述样品管的尺寸刻度与所述标准管的尺寸刻度的差D1满足如下关系：-1mm≤D1≤1mm。

可选地，所述检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置还包括：探头套管；

所述探头套管套于所述高斯探头的外侧；

所述测试管内壁有一道直线凹槽；

所述探头套管外壁有与所述凹槽对应的凸起。

可选地，所述凸起位于所述凹槽内后，所述探头套管与所述测试管之间的相对位置变化范围位于区间[-100μm,100μm]内。

可选地，所述探头套管为非金属材质。

可选地，所述外磁场由永磁铁产生，或者，所述外磁场由线圈产生；