[发明专利]检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置和方法

权利要求书

1.一种磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果检测的方法，其特征在于，方法包括：

标准样件顺时针包裹在标准管外侧，用胶带缠绕裹紧，搭接线与标准管外侧刻度对齐，在标准管外顺时针缠绕标准样件后，高斯探头采集外磁场产生的不同磁场大小下，所述标准样件的磁场强度；

控制分析设备通过高斯计获取所述标准样件的磁场强度；

待测样品顺时针包裹在样品管外侧，用胶带缠绕裹紧，搭接线与标准管外侧刻度对齐，在样品管外顺时针缠绕待测样品后，所述高斯探头采集外磁场产生的不同磁场大小下，所述待测样品的磁场强度；样品管位于磁场下，高斯探头位于测试管内，控制采集系统用以改变高斯探头所在的磁场强度；

所述控制采集系统通过所述高斯计获取所述待测样品的磁场强度；

将所述待测样品的屏蔽前后磁场强度数据与所述标准样件的屏蔽前后磁场强度数据进行对比，确定所述待测样品的屏蔽效果；

其中，所述方法基于检测磁屏蔽材料在低磁场下磁屏蔽效果的装置实施，装置包括：测试管，固定测量系统，控制采集系统，高斯计高斯探头和探头套管；所述控制采集系统与所述高斯计连接；

所述高斯计与所述高斯探头连接；

所述探头套管套于所述高斯探头的外侧；

所述测试管内壁有一道直线凹槽；

所述探头套管外壁有与所述凹槽对应的凸起；

所述控制采集系统包括：用于产生磁场的外磁场和控制分析设备；

所述固定测量系统，用于固定所述外磁场和所述高斯探头的位置；

所述测试管位于所述磁场下，所述测试管为标准管，或者，样品管；所述样品管的尺寸刻度与所述标准管的尺寸刻度满足第一预设关系；

所述高斯探头位于所述测试管内；

所述高斯探头，用于测试磁场强度；

所述控制分析设备，用于通过预先标记的电流控制外磁场产生预设磁场强度的磁场，通过所述高斯计获取在预设磁场强度下标准样件和待测样品的屏蔽磁场数据，分析屏蔽前后磁场强度，得到待测样品的屏蔽效果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固定测量系统通过支架固定所述外磁场和探头的位置。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试管为非金属材质。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一预设关系为：所述样品管的尺寸刻度与所述标准管的尺寸刻度的差D1满足如下关系：-1mm≤D1≤1mm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凸起位于所述凹槽内后，所述探头套管与所述测试管之间的相对位置变化范围位于区间[-100μm,100μm]内。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述探头套管为非金属材质。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外磁场由永磁铁产生，或者，所述外磁场由线圈产生；

所述外磁场由线圈产生时，所述控制采集系统还包括AD/DA模块；

所述控制分析设备，用于通过所述AD/DA模块调节所述线圈的供电电流，改变所述磁场的强度。