[发明专利]一种纳米多孔硅双凹透镜的制备方法

权利要求书

1.一种纳米多孔硅双凹透镜的制备方法，其特征在于，该方法是将常规作为电极的铂片做成空心球体并把从空心球体上截得的两个相对称的球冠做成电极，作为球冠电极的铂片球冠高度H=0.01~0.5R，其中R为球冠电极所在的空心球体半径；在两个球冠电极之间放置硅片，且两个球冠电极的两个凸面均面对硅片，两个球冠电极底面均与硅片所在平面平行，硅片中心轴线、球冠电极的圆心与球冠电极的中心轴线重合，硅片离左、右两个球冠电极的距离相等，且两个球冠电极底部之间的距离L=0.02~10R，其中R为球冠电极所在的空心球体半径；硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分，腐蚀液是按氢氟酸：无水乙醇和去离子水以体积比为1:1:2配制的；先采用大小相同的正、负且大于硅片常规抛光电流的大恒流腐蚀电流对硅片进行电抛光而使硅片前后两面形成同样的凹形球表面；然后使用质量比为2%氢氧化钠溶液把硅片表面的多孔硅腐蚀20 分钟，形成两面凹面形的硅状体 ；再将两个对称的球冠电极换成平行的板式电极，同时改用小于硅片常规抛光电流的小的且正、负大小相同的恒腐蚀电流对硅片两面进行电化学腐蚀而形成多孔双凹透镜。

2.根据权利要求1所述的纳米多孔硅双凹透镜的制备方法，其特征在于，上述电抛光的具体过程是：首先，使用大小相同的正、负且大于硅片常规抛光电流的大恒流腐蚀电流对硅片进行电抛光，一方面，在正常的大恒流腐蚀电流密度条件下，对硅片前后两个表面同时进行电抛光，由于使用的是大小相同的正、负恒腐蚀电流且是球冠形电极，以两个球冠电极中心轴为中心，离中心轴越远，腐蚀电流密度越小，对硅片的抛光速度越慢，从而形成以硅片中心轴为中心，离中心轴越远，抛光越浅，由于在硅片前后两面施加相同的抛光电流，导致在硅片前后两面形成同样的凹形球表面。

3.根据权利要求1或2所述的纳米多孔硅双凹透镜的制备方法，其特征在于，上述电化学腐蚀的具体过程是，在电抛光完成之后，再将两个球冠电极换成圆形平行板电极，同时改用小于硅片常规抛光电流的小的且正、负大小相同的恒腐蚀电流在硅片的前后两边同时进行电化学腐蚀，形成多孔硅薄膜，直到整个硅片全部形成由多孔硅材料构成的双凹透镜。