[发明专利]一种基于SIP技术的超外差变频芯片在审
| 申请号： | 201810930185.4 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109067414A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋庆辉;刘俭成;李晓明;郑见树;杜江坤;石国超;王璇;于慧贤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H04B1/26 | 分类号： | H04B1/26 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超外差 变频芯片 放大器 滤波器 底板 超短波接收机 通信技术领域 通道一致性 变频电路 导电胶粘 功能独立 互联结构 射频性能 陶瓷电路 陶瓷外壳 变频器 多层带 频段 封装 电路 芯片 引入 恶化 | ||
1.一种基于SIP技术的超外差变频芯片，其特征在于：采用系统级封装，对外封装形式为栅格阵列；包括陶瓷外壳和多层高密度带腔陶瓷电路底板，所述多层高密度带腔陶瓷电路底板上设有用于接收射频输入的低通滤波器、用于接收本振输入的第一衰减器、与第一衰减器相连的第一低噪声放大器、分别接收低通滤波器和第一低噪声放大器输出的混频器，以及顺次连接于混频器之后的第一带通滤波器、第二低噪声放大器、第二带通滤波器、第二衰减器、第三带通滤波器和第三低噪声放大器，所述第三低噪声放大器用于输出中频输出。
2.根据权利要求1所述的基于SIP技术的超外差变频芯片，其特征在于：所述低通滤波器、混频器、第一衰减器、第一低噪声放大器、第一带通滤波器、第二低噪声放大器、第二带通滤波器、第二衰减器、第三带通滤波器和第三低噪声放大器均通过共晶焊接技术固连于多层高密度带腔陶瓷电路底板上，并通过金丝键合技术与电路底板上的相应焊盘连接，所述多层高密度带腔陶瓷电路底板具有用于实现各器件之间连接关系的内埋线路。
3.根据权利要求1所述的基于SIP技术的超外差变频芯片，其特征在于：所述低通滤波器和第一带通滤波器为IPD滤波器，所述第二带通滤波器和第三带通滤波器为FBAR滤波器，所述各低噪声放大器均为MMIC低噪声放大器，所述各衰减器均为MMIC可变衰减器，所述混频器为MMIC混频器。
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