[发明专利]集成电路芯片的温度保持装置和方法有效
申请号: | 201810919960.6 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109189116B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 张雨田 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05D23/19 | 分类号: | G05D23/19 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 芯片 温度 保持 装置 方法 | ||
1.一种集成电路芯片的温度保持装置,其特征在于,包括:
片上加热电阻,由芯片的金属线路组成,所述芯片上具有集成电路;所述片上加热电阻为通过对所述芯片的金属层进行金属线布局形成的结构;
片上温度检测电路,用于检测所述芯片内部的温度;
所述芯片包括受保护电路,所述片上温度检测电路设置在所述受保护电路处,用以检测所述受保护电路处的温度;
所述片上加热电阻布置在整个所述芯片范围内;或者,所述片上加热电阻设置在所述受保护电路所对应的位置范围内;
加热控制电路,根据所述片上温度检测电路检测的温度值控制所述片上加热电阻的加热电流的开关,通过在片方式实现对所述芯片的温度控制;
所述加热控制电路为内置于所述芯片内的片上结构;或者,所述加热控制电路为外置于所述芯片外的片外结构;
所述片上加热电阻采用专门的一层金属层布局形成;或者,所述片上加热电阻利用所述芯片本身所具有的金属层的富余空间布局形成;
在所述芯片启动之前,所述加热控制电路使所述片上加热电阻的加热电流导通实现对所述芯片预热;
或者,在所述芯片启动后突发降温时,所述温度检测电路实时检测到降温对应的温度值,所述加热控制电路使所述片上加热电阻的加热电流导通实现对所述芯片进行温度保持。
2.如权利要求1所述的集成电路芯片的温度保持装置,其特征在于:所述受保护电路为温度敏感电路。
3.如权利要求1所述的集成电路芯片的温度保持装置,其特征在于:所述片上加热电阻分为一套以上,每一套所述片上加热电阻控制所述芯片的对应区域内的温度,各套所述片上加热电阻的加热电流单独控制。
4.如权利要求3所述的集成电路芯片的温度保持装置,其特征在于:通过对各所述片上加热电阻的控制,使各所述芯片的各区域的温度范围相同或使各所述芯片的各区域的温度范围具有差别。
5.一种集成电路芯片的温度保持方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、芯片上具有集成电路,在所述芯片的版图设计中增加片上加热电阻和片上温度检测电路的版图设计,所述片上加热电阻由所述芯片的金属层布局的金属线路组成;
所述片上温度检测电路用于检测所述芯片内部的温度;
所述芯片包括受保护电路,所述片上温度检测电路设置在所述受保护电路处,用以检测所述受保护电路处的温度;
所述片上加热电阻布置在整个所述芯片范围内;或者,所述片上加热电阻设置在所述受保护电路所对应的位置范围内;
步骤一中,所述片上加热电阻采用专门的一层金属层布局形成;或者,所述片上加热电阻利用所述芯片本身所具有的金属层的富余空间布局形成;
步骤二、设置加热控制电路,所述加热控制电路为内置于所述芯片内的片上结构;或者,所述加热控制电路为外置于所述芯片外的片外结构;
所述加热控制电路根据所述片上温度检测电路检测的温度值控制所述片上加热电阻的加热电流的开关,通过在片方式实现对所述芯片的温度控制;
步骤二中,对所述芯片的温度控制方式包括:
在所述芯片启动之前,所述加热控制电路使所述片上加热电阻的加热电流导通实现对所述芯片预热;
或者,在所述芯片启动后突发降温时,所述温度检测电路实时检测到降温对应的温度值,所述加热控制电路使所述片上加热电阻的加热电流导通实现对所述芯片进行温度保持。
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