[发明专利]光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模

说明书

一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

技术领域

本公开主要关于一种检测方法以及反射式光掩模，尤指一种光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模。

背景技术

半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置基本上依序通过沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料至一晶片、以及使用光刻技术图案化多种材料层来形成电路组件以及元件于其上而被制造。许多集成电路一般制造于一单一晶片，且晶片上个别的管芯于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的管芯基本上被分别的封装于一多晶片模块或是其他类型的封装。

由于半导体工艺的尺寸的小型化的要求，于光刻设备中采用了超紫外线作为曝光工艺中的光源，以使晶片上的光致抗蚀剂形成适用于小于20nm 半导体工艺的图案。

然而，虽然目前使用超紫外线作为曝光工艺中的光源的光刻设备符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供光刻设备的改进方案。

发明内容

本公开的一些实施例提供了一种反射式光掩模，用以检测一光刻设备的洁净度，包括：一基板；一反射结构，设置于基板上；以及一图案层，设置于反射结构上，包括多个第一检测单元。每一检测图案包括一第一检测单元。检测图案的第一检测单元沿一排列方向排列，且第一检测单元的面积沿排列方向逐渐变大。

本公开的一些实施例提供一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一第一光学检测机台；以及通过通过第一光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

附图说明

图1为根据本公开的一些实施例的光刻设备的示意图。

图2为根据本公开的一些实施例的光刻设备的洁净度的检测方法的流程图。

图3为根据本公开的一些实施例的光学检测机台的示意图。

图4为根据本公开的一些实施例的反射式光掩模的示意图。

图5为根据本公开的一些实施例的反射式光掩模的俯视图。

图6为根据本公开的一些实施例的检测图案的示意图。

图7为根据本公开的一些实施例的主对位标记的示意图。

图8为根据图5的A部分的放大图。

图9为根据本公开的一些实施例的检测图案的示意图。

附图标记说明：

光刻设备1

光源装置10

曝光腔20

照明装置30

光掩模装置40

光掩模座41

光学投影装置50

反射镜51

晶片座60

光掩模传送装置70

晶片传送装置80

激发腔A10

光线沟道A11

标的发射器A20