[发明专利]一种p型掺杂6H-碳化硅晶体的无损判定方法在审
| 申请号： | 201810899286.X | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109142314A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨培培;李祥彪;闵意;陈翠萍;谭志中;吴建;郑凯哥;张航 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 宿州智海知识产权代理事务所(普通合伙) 34145 | 代理人： | 陈燕 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 载流子 变温 无损 判定 测量 光谱分析法 纵向光学模 程序控制 出厂产品 分析对比 光谱测量 晶体样品 晶圆产品 拉曼光谱 入射方向 温度间隔 镀电极 探测光 无损伤 检测 峰位 霍尔 检验 掺杂 自动化 敏感 应用 分析 | ||
【权利要求书】：
1.一种p型掺杂6H-碳化硅晶体的无损判定方法，使用变温拉曼光谱测试系统，对待测的SiC样品进行光谱测量，其技术特征在于：判定方法包括：
（1）、探测光的入射方向为沿SiC晶片的（0001）方向，测量指标为变温拉曼谱，若测试样品为完整的晶圆，则可在样品台添加二维扫描结构，以获得完整晶圆的不同部位的拉曼谱随温度的变化特征；
（2）、根据测试结果，得到p型掺杂6H-碳化硅晶体的拉曼谱中纵向光学模（A1-LO）强度及峰位随温度的变化关系曲线；
（3）、根据判定标志与测试得到的6H-碳化硅晶体的拉曼谱中纵向光学模（A1-LO）强度及峰位随温度的变化关系曲线进行比较，判定所测样品是否为p型掺杂类型（铝为主杂质元素）。
2.根据权利要求1所述测量方法，其特征在于：采用Origin或者Matlab数据处理软件对拉曼光谱线进行处理。
3.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：变温测量为293K到673K温度范围，温度间隔为50K。
4.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：自由载流子浓度先增大然后降低，在433K附近达到最大值，温度超过473K以后自由载流子浓度随温度升高呈指数增长。
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