[发明专利]提高套刻精度的刻蚀方法

权利要求书

1.一种提高套刻精度的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一组合掩膜版，所述组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，所述第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，所述第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形；对应于所述组合掩膜版的下方放置有基底且所述基底与所述组合掩膜版彼此不接触，在所述基底上形成待图案化的材料层，所述材料层从下到上依次包括底掩膜层、中间掩膜层、顶掩膜层及第一光刻胶层，S1步骤包括：将所述第一子掩膜版上形成的所述第一光掩膜图形曝光显影至所述第一光刻胶层上，以形成第一光刻胶图案；

S2：以所述第一光刻胶图案为掩膜刻蚀所述顶掩膜层，以形成顶掩膜层图案；

S3：以所述顶掩膜层图案为掩膜刻蚀所述的中间掩膜层，当所述中间掩膜层的刻蚀厚度达到所述中间掩膜层总厚度的60％以上时，停止刻蚀，以形成多个第一中间掩膜条，所述第一中间掩膜条组合形成第一中间掩膜层图案，相邻的所述第一中间掩膜条之间的节距相等；

S4：在所述第一中间掩膜层图案上从下到上依次沉积形成中间覆盖层、第一介电抗反射涂层及第二光刻胶层，将所述第二子掩膜版上形成的所述第二光掩膜图形曝光显影至所述第二光刻胶层上，以形成第二光刻胶图案；

S5：以所述第二光刻胶图案为掩膜刻蚀所述第一介电抗反射涂层，以形成第一介电抗反射涂层图案；

S6：以所述第一介电抗反射涂层图案为掩膜刻蚀所述中间覆盖层，以形成多个中间覆盖条，所述中间覆盖条组合形成中间覆盖层图案，所述中间覆盖条排列于所述第一中间掩膜条之间的空隙，相邻的所述中间覆盖条之间的节距相等；

S7：以所述第一中间掩膜层图案和所述中间覆盖层图案为掩膜刻蚀剩余的所述中间掩膜层，以使所述中间掩膜层形成为中间掩膜层总图案，所述中间掩膜层总图案由所述第一中间掩膜条和多个第二中间掩膜条组成，所述第二中间掩膜条由所述中间覆盖层图案转置而形成，所述第一中间掩膜条穿插排列于所述第二中间掩膜条中，使所述第一中间掩膜条和所述第二中间掩膜条包括不相连接的并行线条部；并且所述第一中间掩膜条和所述第二中间掩膜条形成在同一结构层中；

S8：将所述中间掩膜层总图案转印至所述底掩膜层中，以形成多对准标记整合图案。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，相邻的所述第一中间掩膜条的节距介于6微米～7微米。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，相邻的所述中间覆盖条的节距介于6微米～7微米。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述中间覆盖条与相邻的所述第一中间掩膜条之间节距介于3微米～3 .5微米。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一中间掩膜条和相邻的所述第二中间掩膜条之间的节距介于3微米～3 .5微米。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述底掩膜层包括氧化物层，所述中间掩膜层包括中间介电抗反射涂层，所述顶掩膜层包括顶碳层和顶介电抗反射涂层。

7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述底掩膜层和所述中间掩膜层之间还沉积形成第一碳层。

8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，在步骤S8之前还包括：以所述中间掩膜层总图案为掩膜刻蚀所述第一碳层，以形成第一碳层图案。

9.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤S2包括以所述第一光刻胶图案为掩膜刻蚀所述顶介电抗反射涂层，以形成顶介电抗反射涂层图案。

10.根据权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤S2还包括以所述顶介电抗反射涂层图案为掩膜刻蚀所述顶碳层，以形成顶掩膜层图案。