[发明专利]基于钠掺杂氧化锌纳米簇的太赫兹波开关在审
| 申请号： | 201810875772.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109037859A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李九生;邓玉强 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01P1/10 | 分类号： | H01P1/10;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化锌纳米 钠掺杂 太赫兹波 二氧化硅膜层 硅基底层 紫外光 太赫兹信号 垂直输出 几何中心 控制效果 透过率 中间层 最底层 顶层 垂直 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于钠掺杂氧化锌纳米簇的太赫兹波开关，其特征在于它包括硅基底层（1）、二氧化硅膜层（2）和钠掺杂氧化锌纳米簇层（3）；硅基底层（1）位于最底层，二氧化硅膜层（2）位于中间层，顶层则为钠掺杂氧化锌纳米簇层（3），太赫兹信号在钠掺杂氧化锌纳米簇层（3）正上方从几何中心处垂直输入，依次经过二氧化硅膜层（2）和硅基底层（1）后垂直输出，紫外光在钠掺杂氧化锌纳米簇层（3）上方输入，通过改变紫外光的强度来控制太赫兹波的透过率，进而实现太赫兹波开关的功能。
2.根据权利要求1所述的一种基于钠掺杂氧化锌纳米簇的太赫兹波开关，其特征在于所述的硅基底层（1）形状为正方形，边长为1.5cm~2cm，厚度为300μm~500μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于钠掺杂氧化锌纳米簇的太赫兹波开关，其特征在于所述的二氧化硅膜层（2）形状为正方形，边长为1.5cm~2cm，厚度为50nm~100nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于钠掺杂氧化锌纳米簇的太赫兹波开关，其特征在于所述的钠掺杂氧化锌纳米簇层（3）厚度为150nm~200nm。
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