[发明专利]一种提高玉米籽粒品质的种植方法

权利要求书

1.一种提高玉米籽粒品质的种植方法，其特征在于，具体方法如下：

（1）将颗粒饱满且无虫眼的玉米种子浸没于温度为39~41℃的氯化铜营养液中保温浸泡50~60min，沥液捞出，进行电场处理，浸没于温度为49~51℃的硫酸镁营养液中保温浸泡35~45min，沥液捞出，晾晒至表面无水分，得处理玉米种子；

（2）将处理玉米种子播种于种植地，播种深度为3.9~4.1cm、每穴播种一粒，播种前10~12天对种植地施入腐熟羊粪肥2100~2200kg/亩，在拔节期和抽雄期分别叶面喷施一次营养液，大喇叭口期从下端对玉米植株进行叶片修剪处理、保证每个玉米植株叶片数量为8~9片、叶片少于8片的玉米植株不进行叶片修剪处理；

所述的营养液，由以下重量份的原料制成：磷酸二氢钾2.1~2.3份、柠檬酸螯合锌2.9~3.1份、月季花多糖0.13~0.15份、山楂多糖0.10~0.12份、枸杞多糖0.19~0.21份、葡萄多酚0.13~0.15份、水960~980份。

2.根据权利要求1所述的提高玉米籽粒品质的种植方法，其特征在于，步骤（1）所述的氯化铜营养液，按以下步骤进行制备：将1.1~1.2重量份的氯化铜和0.15~0.17重量份的荜茇多糖投入620~640重量份的水中搅拌至溶解，在磁场强度为940~960G的条件下磁化处理14~16min，在磁场强度为580~600G的条件下磁化处理10~12min，得氯化铜营养液。

3.根据权利要求1所述的提高玉米籽粒品质的种植方法，其特征在于，步骤（1）所述的电场处理，在电场强度为108~116kV/m、电场频率为5.1~5.3kHz的条件下电场处理80~100s，在电场强度为344~352kV/m、电场频率为9.6~9.8kHz的条件下电场处理130~140s，暂停250~300s，在电场强度为215~223kV/m、电场频率为7.1~7.3kHz的条件下电场处理110~120s，上述为一个循环，共循环处理2次。

4.根据权利要求1所述的提高玉米籽粒品质的种植方法，其特征在于，步骤（1）所述的硫酸镁营养液，按以下步骤进行制备：将1.8~1.9重量份的硫酸镁和0.12~0.14重量份的螺旋藻多糖投入620~640重量份的水中搅拌至溶解，在磁场强度为790~810G的条件下磁化处理8~10min，暂停5~7min，在磁场强度为1330~1350G的条件下磁化处理11~13min，得硫酸镁营养液。

5.根据权利要求1所述的提高玉米籽粒品质的种植方法，其特征在于，步骤（2）所述的腐熟羊粪肥，按以下步骤进行制备：将200~210重量份的羊粪粉碎，置入温度为73~75℃的旋转炒锅内恒温炒制26~28min，加入1.3~1.5重量份的菠萝汁混合搅拌均匀，置入温度为112~118℃的条件下恒温蒸汽处理34~38min，冷却至室温，加入0.8~0.9重量份的地衣芽孢杆菌混合搅拌均匀，置入温度为37~39℃的条件下恒温密闭发酵320~340h，得腐熟羊粪肥。