[发明专利]电浆炬激发装置

权利要求书

1.一种电浆炬激发装置，其特征是包括：

一极芯架，具有一中空的舱室；

一极棒，植入于该舱室内而形成一围绕于极棒与舱室壁面之间的集气槽；

一极芯，固置于该极芯架的底端，该极芯具有一芯孔，该芯孔具有一内端及一外端，该内端连通该集气槽，该外端作为电浆炬的喷火口；

其中，该极棒具有一电离子投射端，该电离子投射端邻近于该芯孔的内端；该芯孔的内端与外端之间形成为一圆锥形孔壁，该圆锥形孔壁由该内端逐渐扩张至该外端而形成，且该圆锥形孔壁扩张至该外端的孔径小于该圆锥形孔壁的深度。

2.如权利要求1所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该芯孔的内端还包含由该圆锥形孔壁延伸形成的一圆形孔壁，该极棒的电离子投射端邻近该圆形孔壁。

3.如权利要求1所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该极芯的外围罩设有一极芯座，使该极芯与该极芯座之间形成一水腔室。

4.如权利要求3所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该极芯座上配置有与该水腔室相连通的一进水管及一出水管。

5.如权利要求3所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该极芯的外壁形成鳍片状。

6.如权利要求1所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该极芯架上配置有一用以导引气体流入该集气槽的一进气管，该进气管内的气体依序经由该集气槽的集压而后经由该芯孔流出。

7.如权利要求6所述的电浆炬激发装置，其特征在于：所述气体为He、Ar、N₂、O₂的其中之一。

8.如权利要求1所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该极芯座配置于一半导体废气处理槽上，该半导体废气处理槽内形成有一反应腔室，该极芯作为电浆炬喷火口的外端植入于该反应腔室内。

9.如权利要求8所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该半导体废气处理槽还配置有至少一废气导入管，该废气导入管的一端植入该反应腔室内。

10.如权利要求9所述的电浆炬激发装置，其特征在于：该半导体废气处理槽的顶部罩设有一头盖，该极芯座及该废气导入管间隔配置于该头盖上。