[发明专利]扇出型封装结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导电柱，所述第一导电柱在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导电柱，所述第二导电柱从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，本发明涉及扇出型封装结构及其制造方法。

背景技术

为了满足电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，芯片的小型化、智能化使得芯片封装引脚的数量在提升的同时，封装引脚的尺寸也在快速下降。传统的倒装芯片晶圆级封装方案中I/O连接端子散布在芯片表面面积之内，从而限制了I/O连接数目。扇出型晶圆级封装能很好的解决这个问题，同时由于其具有小型化、低成本和高集成度等优点，因此正在迅速成为新型芯片和晶圆级封装技术的选择。

现有的扇出型封装通常将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中，然后在裸芯片的正面形成介电层和重布线层，并在裸芯片正面的焊盘与重布线层之间形成电连接，重布线层可重新规划从裸芯片上的I/O连接到外围环氧树脂区域的路线，再在重布线层的焊盘上形成焊球突起结构，由此形成扇出型封装结构。

扇出型晶圆级封装能够实现三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片性能和低功耗，但也存在着一定的缺陷。在将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中的过程中，通常是将裸芯片直接粘贴于粘合层上，然后将裸芯片转移至支撑衬底或支架上。然而，由于粘合层容易变形扭曲，大大影响了产品封装的可靠性，降低了产品性能。另外因塑封材料收缩引起的滑移也很难得到控制。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，根据本发明的一个实施例，提供一种扇出型封装结构，包括：

芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及

对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导电柱，所述第一导电柱在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导电柱，所述第二导电柱从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接。

在本发明的一个实施例中，所述第一重布线结构和/或第二重布线结构包括N层导电线路以及设置在导电线路之间的绝缘介质，其中N≥2。

在本发明的一个实施例中，所述第一重布线结构与所述第一导电柱和所述第二导电柱电连接，所述第一重布线结构上设置有一个或多个外接焊盘和/或焊料凸点。

在本发明的一个实施例中，所述第二重布线结构与所述第一导电柱电连接，所述第二重布线结构上设置有一个或多个外接焊盘和/或焊料凸点。

根据本发明的另一个实施例中，提供一种扇出型封装结构的制造方法，包括：

在载片上形成第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱的高度高于第二导电柱；

将芯片倒装焊至所述载片，所述芯片的导电焊盘焊接到所述第二导电柱，所述第一导电柱分散在所述芯片的外部；

对所述芯片和载片进行塑封，使得塑封材料完全包封所述芯片、所述第一导电柱和所述第二导电柱；

减薄所述塑封材料，并暴露第一导电柱；

在减薄后的塑封材料的第一表面上形成第一重布线结构；