[发明专利]一种双保护环结构的新型SPAD探测器在审
| 申请号： | 201810826015.1 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767767A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 毛成;卜晓峰;孔祥顺;吴俊辉 | 申请（专利权）人： | 苏州超锐微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 边缘电场 双保护环 高电位 探测器 减小 施加 | ||
【权利要求书】：
1.一种双保护环结构的新型SPAD探测器，其特征在于p+层和n-type层之间形成的pn结作为反应结，p+层四周由pwell阱作为第一保护环，pwell保护环上方设计一层poly层，作为第二保护环，所述poly层与pwell层交叠，与p+层不交叠。
2.根据权利要求1所述的SPAD探测器，其特征还在于dnw层将单个探测器与P-sub衬底分离，n+层作为接触孔将高电位传入dnw层，形成SPAD探测器的阴极，p+层作为SPAD探测器的阳极，接低电位。
3.根据权利要求1、2所述的SPAD探测器，其特征还在于poly层与n+层直接连接，施加相同电位。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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