[发明专利]一种三维电子器件的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810824130.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110843206A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李琦;杨炜沂;鞠小晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B29C64/106 | 分类号： | B29C64/106;B29C64/379;B29C39/10;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电子器件 制备 方法 应用 | ||
1.一种三维电子器件的制作方法，其特征在于：该方法首先采用三维直写技术用牺牲浆料构筑电子器件所需的三维网络结构，然后对三维网络结构进行封装，封装后将牺牲浆料去除，形成三维孔道；在三维孔道内填充导电材料后获得具有三维导电网络的电子器件。
2.根据权利要求1所述的三维电子器件的制作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
(1)在电子器件基底上通过三维无模直写技术打印构筑所需的三维网络结构；三维网络结构由牺牲浆料构成；
(2)将步骤(1)获得的三维网络结构使用封装材料进行浇筑，使封装材料覆盖所述三维网络结构，封装材料固化后获得封装体；
(3)封装后使封装体内的牺牲材料液化，形成流动性能良好的液体排出，在封装体内形成三维孔道；
(4)在所述三维孔道中进行导电材料的填充，形成三维的导电网络。
3.根据权利要求2所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：当封装材料为刚性材料时，获得刚性的三维电子器件；当封装材料为柔性材料，获得柔性的三维电子器件。
4.根据权利要求2所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：所述电子器件基底的材质与封装材料相同。
5.根据权利要求2所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述牺牲材料为可打印且可相变的材料。
6.根据权利要求5所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲剂材料可打印是指满足损失模量G”＜存储模量G’，以保证浆料在挤出之后能够保持形状；所述牺牲材料可相变是指能在温度或pH值控制下从半固态转变为液态以便于去除。
7.根据权利要求5所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，在三维孔道中填充导电材料后，通过后处理使填充的导电材料获得导电能力或提高导电能力；所述后处理为干燥处理和/或热处理。
8.根据权利要求2所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：所述封装材料为PDMS、树脂、光敏胶、工程塑料或陶瓷材料等。
9.根据权利要求2所述的三维电子器件的制备方法，其特征在于：所述导电材料为导电金属漆、液态金属或由金属颗粒调制成的流动浆料。
10.根据权利要求1所述的三维电子器件的应用，其特征在于：所述三维电子器件作为三维导电网络应用于天线、传感器或能量收集器领域。
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