[发明专利]半导体器件及其制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；第一介质层；隔离层；第二介质层；栅极金属层；第一源极；第一漏极；第一栅极；第二源极；第二漏极；以及第二栅极；其中，所述第一漏极与所述第二源极在所述栅极金属层上方相互接触连接。本发明的半导体器件通过对半导体器件的结构进行优化，得到一种低压增强型半导体器件结构与高压耗尽型半导体器件结构低电阻互连，实现了半导体器件，可以获得更好的器件开关特性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件以及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

对于半导体器件而言，分为耗尽型半导体器件和增强型半导体器件。耗尽型半导体器件由于一直处于常开状态，应用在集成电路中会产生很大的功耗，也会造成可靠性问题。因此，实现增强型半导体器件是半导体器件走上集成的必经之路。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，通过对半导体器件的结构进行优化，得到一种低压增强型半导体器件结构与高压耗尽型半导体器件结构低电阻互连，实现了半导体器件，可以获得更好的器件开关特性。

具体地，本发明实施例提供的一种半导体器件，包括：半导体基板；第一介质层，设置于所述半导体基板上；隔离层，设置于所述第一介质层上、且填充隔离孔，所述隔离孔贯穿所述第一介质层、并伸入所述半导体基板内部；第二介质层，设置于所述隔离层上、且延伸至第一栅极接触孔和第二栅极接触孔内以覆盖所述第一栅极接触孔的底部和所述第二栅极接触孔的底部，所述第一栅极接触孔和所述第二栅极接触孔均贯穿所述隔离层和所述第一介质层，所述第一栅极接触孔还伸入所述半导体基板内部，以及所述第一栅极接触孔和所述第二栅极接触孔分设在所述隔离孔的两侧；栅极金属层，设置于所述第二介质层上、且延伸至所述第一栅极接触孔和所述第二栅极接触孔内以覆盖位于所述第一栅极接触孔底部和所述第二栅极接触孔底部的所述第二介质层；第一源极，设置于所述栅极金属层上、且填充第一源极接触孔，所述第一源极接触孔依次贯穿所述栅极金属层、所述第二介质层、所述隔离层和所述第一介质层；第一漏极，设置于所述栅极金属层上、且填充第一漏极接触孔，所述第一漏极接触孔依次贯穿所述栅极金属层、所述第二介质层、所述隔离层和所述第一介质层；第一栅极，设置于所述栅极金属层上、且填充所述第一栅极接触孔；第二源极，设置于所述栅极金属层上、且填充第二源极接触孔，所述第二源极接触孔依次贯穿所述栅极金属层、所述第二介质层、所述隔离层和所述第一介质层；第二漏极，设置于所述栅极金属层上、且填充第二漏极接触孔，所述第二漏极接触孔依次贯穿所述栅极金属层、所述第二介质层、所述隔离层和所述第一介质层；以及第二栅极，设置于所述栅极金属层上、且填充第二栅极接触孔；其中，所述第一漏极与所述第二源极在所述栅极金属层上方相互接触连接。

在本发明其中一个实施例中，所述半导体基板包括：硅衬底，以及设置于所述硅衬底表面的氮化镓缓冲层和设置于所述氮化镓缓冲层表面的氮化镓铝层。

在本发明其中一个实施例中，所述隔离孔还贯穿所述氮化镓铝层并伸入至所述氮化镓缓冲层中。

在本发明其中一个实施例中，所述第一栅极接触孔伸入所述氮化镓铝层。

在本发明其中一个实施例中，所述氮化镓缓冲层和所述氮化镓铝层之间形成有二维电子气沟道。

在本发明其中一个实施例中，所述隔离层为等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)沉积氧化硅膜。

在本发明其中一个实施例中，所述栅极金属层由氮化钛组成。

在本发明其中一个实施例中，所述第一源极、所述第一漏极、所述第一栅极、所述第二源极、所述第二漏极和/或所述第二栅极由欧姆接触金属组成，所述欧姆接触金属从下至上依次包括：第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和氮化钛层。