[发明专利]一种修调电路

说明书

本专利申请提供一种修调电路，PAD通过金属线连接金属熔丝FUSE、电阻R1，金属熔丝FUSE另一端接地，电阻R1的另一端接反相器Ⅰ（CMOS1）输入端，反相器Ⅰ（CMOS1）的输出端接或门的输入端A，或门的输入端B接比较器U的输出端，比较器U的输入端接探针，或门的输出端接MOS管Ⅰ的栅极,MOS管Ⅰ的源极接电源AVDD、漏极接MOS管Ⅱ源极，MOS管Ⅱ的栅极接控制部分、漏极接控制offset的调整部分，本专利申请通过探针引入电流至PAD，烧断金属熔丝，电流经电阻R1、反相器Ⅰ（CMOS1）后，高电平变低电平，而经比较器至或门B输入端的电平为高电平，MOS管Ⅰ、MOS管Ⅱ导通，修调offset，同时还可根据控制部分输入的信号切换至控制负offset的调整部分的修调，利用上述结构进行芯片的失调电压以及温漂的调整，在微小的代价下，提高芯片的性能指标。

技术领域

本专利申请涉及半导体领域，尤其涉及一种修调电路，用于调整失调电压（offset）以及其温漂，在微小的代价下，提高芯片的整体性能指标。

背景技术

随着集成电路工艺和设计技术的发展，电路性能要求也越来越高，以便满足广泛的应用需求，但是，电路特性总是会受到半导体制造工艺的非理想因素的影响，这些寄生效应主要表现在电流镜失配、电阻匹配偏差、电阻的温度系数、电阻电容失配、电阻绝对偏差、电阻的温度系数、电阻电容失配、晶体管失配、由封装应力引入的温漂失调和输入失调电压等方面，且这些误差是随机性的，存在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间、以及批次和批次之间，无法通过仿真软件进行有效的模拟和预测，通过针对性的优化工艺控制精度，可以减少这些非理想因素，但会增加工艺复杂度和芯片的制造成本。

为了在标准工艺上实现高精度的模拟集成电路，对芯片进行制造后调整成为改善是调和温飘、优化电路性能、提高芯片成品率的主流解决方案，修调技术广泛应用于高精度低失调放大器、低温票高性能基准源、射频电路、高性能AD/DA转化器以及搞复杂的SoC芯片中，除了性能改进，为了在同一块芯片上实现不同的性能，也可以通过修调技术对其电路结构和点血参数进行编程，从而满足不同的应用需求。

根据文献“集成电路修调技术分析.黄晓宗.余雷.石建刚.黄文刚.曾未来”所述，目前存在的主流的集成电路修调技术有激光修调、熔丝修调、齐纳击穿二极管、电子熔丝和存储器修调等。

其中，激光修调的基本原理, 是将激光束通过透镜聚焦到电阻膜上, 在瞬时高温作用下, 电阻膜被汽化掉, 在连续的激光脉冲作用下, 随着光束的移动, 电阻膜上形成一条切口, 从而改变了电阻的导电面积( 即电阻方块数), 达到改变电阻( 增大电阻值)的目的。

早在1972年激光修调便使用厚膜电阻的修调，薄膜电阻通常由镍铬合金或者铬硅合金构成，激光局部加热，从而改变局部材料的微观结构或者化学组成，增大总体阻值，激光束光斑直径约为3um-10um的圆形区域，其移动部根据设备精度稍有差异，移动光斑进行激光轰击，连续微调，同时连续监测电阻值的变化，直到获得满意的电阻时才停止修调，精度相对于其他方式来讲精度较高，电阻精度可以达到0.05%以内，同时也具有高成本，且从本质来看，激光调阻同时也是对电阻体的一种损伤。

专利申请内容

本专利申请提供了一种修调电路，对芯片制造后进行调整，确切的说是调整温飘、提高芯片的成品率，为了达到上述目的，本专利申请采用以下技术方案：包括：修调电路、探针，所述修调电路置于芯片上，所述修调电路经过引线与划片槽内的焊盘连接，所述探针连接焊盘，用于引入电流至焊盘。