[发明专利]注入锁定半导体激光器

权利要求书

1.注入锁定半导体激光器，其特征在于，包括：

主激光器、第一准直透镜、全反镜、半反半透镜、第二准直透镜、从激光器、聚焦透镜和光纤，所述第一准直透镜和全反镜位于第一激光的光路上，所述第二准直透镜、半反半透镜、聚焦透镜和光纤位于第二激光的光路上；

主激光器发出的激光经过第一准直透镜整形为第一平行光束，第一平行光束通过全反镜入射到半反半透镜上，半反半透镜的反射光经过第二准直透镜注入锁定至从激光器内部，注入锁定后的从激光器激光经过第二准直透镜整形为第二平行光束，所述第二平行光束经过半反半透镜后的透过光经过聚焦透镜耦合进光纤中，并通过光纤输出；

所述注入锁定半导体激光器还包括外壳，所述主激光器、第一准直透镜、全反镜、半反半透镜、第二准直透镜、从激光器、聚焦透镜和光纤被封装于所述外壳内，所述外壳设有两个SMP高频电接口，分别通过两根共面的微带线加载至主激光器和从激光器上；

所述主激光器采用高速DFB激光器芯片；

主激光器和从激光器的波长满足：

其中，c为光速，μ_g为群速度折射率，L为腔长，P_i为主激光器1注入到从激光器的注入功率，P为从激光器的输出功率，α为线宽展宽因子，ν＝ω_i-ω₀，其中ω_i为主激光器1频率，ω₀为从激光器频率。

2.如权利要求1所述的注入锁定半导体激光器，其特征在于，所述注入锁定半导体激光器还包括第一光隔离器和第二光隔离器，所述第一光隔离器位于第一准直透镜与全反镜之间，所述第二光隔离器位于半反半透镜与聚焦透镜之间。

3.如权利要求1所述的注入锁定半导体激光器，其特征在于，所述光纤采用保偏光纤或单模光纤。