[发明专利]太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法，利用制备太阳能电池过程中的PECVD工艺来对硅片表面进行清洁，通过提高硅减反射膜之前的预热温度，以使硅片的受光面的表层的有机物挥发；并且通过控制氨气与硅烷的流量比，使得沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比为3.5:1‑4.5:1，且沉积后续层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比低于该比例值。该方法使氨气过量，过量的氨气在PECVD腔室中被分解为离子团，进而与硅片表层进行反应，去除硅片表面的沾污成分，降低了底层氮化硅减反射膜层与湿法刻蚀后不同膜层的界面态。进而改善表面脏污、有机物的处理效果，达到烧结后外观提升的作用。

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制备工艺技术领域，尤其涉及一种太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法。

背景技术

光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。

在太阳能电池大规模生产中，常采用在硅片表面清洁提升表层的质量、进而提升表层镀膜后外观膜层的镀膜质量，提升电池片的外观质量。常见的湿法刻蚀后硅片表面清洁主要有紫外UV灯、双氧水超声波清洁等，但此类方式都会额外增加的一些工艺路径，或是增加成本投入。

发明内容

本发明提出了一种太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法，以在不新增工艺步骤的基础上有效地对湿法刻蚀后硅片表面脏污及有机物进行清洁处理。

为了解决上述问题，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法，该方法利用在板式PECVD沉积多层氮化硅减反射膜的过程中对硅片的受光面的表层进行清洁处理，该方法具体包括：

在沉积第一层氮化硅减反射膜之前对PECVD的沉积腔体进行抽真空并预热，预热温度为450-600℃，预热时间为30S以上，以使硅片的受光面的表层的有机物挥发；

通入氨气和硅烷的混合气体，在硅片的受光面上依次沉积若干层氮化硅减反射膜，其中沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比为：3.5:1-4.5:1，且沉积后续层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比低于沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比。

在本发明的一个实施例中，沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气的流量为1470sccm-2700sccm，通入的硅烷的流量为420sccm-600sccm；或者通入的氨气的流量为525sccm-810sccm，通入的硅烷的流量为150sccm-180sccm。

在本发明的一个实施例中，沉积后续层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量在沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量的基础上降低，且硅烷流量的降低比例比氨气流量的降低比例偏高5％-15％。

在本发明的一个实施例中，每层氮化硅减反射膜的厚度在65nm-120nm之间。

在本发明的一个实施例中，在沉积第一层氮化硅减反射膜之前，硅片已经依次进行了制绒、扩散、刻蚀、氧化处理。

在本发明的一个实施例中，在沉积完所有层的氮化硅减反射膜之后，还包括依次进行冷却、出料、丝网印刷电极、电性能测试工序。

本发明由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，存在以下的优点和积极效果：