[发明专利]垂直半导体器件

权利要求书

1.一种垂直半导体器件，包括：

在衬底的第一区域中的导电图案结构，所述导电图案结构在第一方向上延伸；

在所述衬底的第二区域中与所述衬底的所述第一区域的相反侧的每个相邻的垫结构，所述垫结构接触所述导电图案结构的侧部；

穿过所述导电图案结构延伸的多个沟道结构，所述多个沟道结构规则地布置在所述衬底上；

穿过所述导电图案结构延伸的多个第一虚设结构，所述多个第一虚设结构设置在所述衬底的所述第一区域的与所述衬底的所述第二区域相邻的部分中；以及

在所述衬底上穿过所述垫结构延伸的多个第二虚设结构，

其中所述多个沟道结构的每个在所述第一方向上具有第一宽度，所述多个第一虚设结构的每个在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述导电图案结构和所述垫结构包括交替地且重复地一个堆叠在另一个上的导电图案和绝缘层，并且所述垫结构在所述第一方向上具有阶梯形状。

3.根据权利要求2所述的垂直半导体器件，还包括在所述垫结构中的所述导电图案的每个上的接触插塞。

4.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个沟道结构中的在所述第一方向上的相邻沟道结构具有第一节距，所述多个沟道结构中的沟道结构和所述多个第一虚设结构中的在所述第一方向上与所述多个沟道结构中的所述沟道结构相邻的第一虚设结构具有大于所述第一节距的第二节距。

5.根据权利要求4所述的垂直半导体器件，其中所述多个第二虚设结构中的在所述第一方向上的相邻第二虚设结构具有大于所述第二节距的第三节距。

6.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个第一虚设结构的每个的上表面具有椭圆形状，该椭圆形状的长轴存在于所述第一方向上并且比所述多个沟道结构的每个的上表面在所述第一方向上的宽度更长。

7.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个第一虚设结构的每个的上表面具有圆形形状、三角形形状或多边形形状。

8.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个第一虚设结构的每个的上表面具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的线形形状。

9.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个第一虚设结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此线形地对准。

10.根据权利要求9所述的垂直半导体器件，其中所述多个第一虚设结构和与所述多个第一虚设结构相邻的多个沟道结构在所述第二方向上以Z字形样式设置。

11.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个沟道结构、所述多个第一虚设结构和所述多个第二虚设结构具有基本相同的堆叠结构。

12.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个沟道结构和所述多个第一虚设结构具有基本相同的堆叠结构，所述多个沟道结构和所述多个第二虚设结构具有彼此不同的堆叠结构。

13.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中所述多个沟道结构沿所述第一方向在每行彼此线形地对准，所述多个沟道结构中在奇数行的沟道结构和所述多个沟道结构中在偶数行的沟道结构沿垂直于所述第一方向的第二方向以Z字形样式设置。