[发明专利]基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器

权利要求书

1.基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，所述集总元件功率合成放大器包括：

N路功率分配器、N路功率合成器、N路功率放大器；N为大于等于2的正整数，N路功率放大器的每一路为一个M级功率放大器，M为大于等于1的正整数；N路功率分配器的一端连接输入端，N路功率合成器的一端连接输出端，N个M级功率放大器并联在N路功率分配器的另一端与N路功率合成器的另一端之间。

2.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，N路功率分配/N路合成器的馈线均采用双层结构。

3.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，M级功率放大器的每一级功率放大器均包括：

带通滤波器型输入匹配网络、场效应晶体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路、输入隔直电容C3、输出隔直电容C4、带通滤波器型输出匹配网络；

功率放大器输入端与带通滤波器型输入匹配网络的一端连接，带通滤波器型输入匹配网络的另一端与输入隔直电容C3的一端连接，输入隔直电容C3另一端和栅极偏置电路均与场效应晶体管的栅极连接，场效应晶体管源极接地，场效应晶体管漏极与漏极偏置电路和输出隔直电容C4的一端连接，输出隔直电容C4的另一端与带通滤波器型输出匹配网络的一端连接，带通滤波器型输出匹配网络的另一端与输出端连接。

4.根据权利要求3所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，带通滤波器型输入匹配网络包括：电容C1-C2、电感L1-L4；电容C1的一端和电感L1的一端均与输入端连接，电容C1的另一端接地；电感L1的另一端与电感L2的一端和电感L3的一端均连接，电感L2的另一端接地，电感L3的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端与输入隔直电容C3的一端和电感L4的一端均连接，电感L4的另一端接地；

栅极偏置电路包括：电阻R、旁路电容C_Bypass；电阻R的一端与栅极直流电给入端口以及旁路电容C_Bypass的一端均连接，旁路电容C_Bypass的另一端接地，电阻R的另一端与场效应晶体管的栅极连接；

漏极偏置电路包括：螺旋电感L_RFChoke、旁路电容C_Bypass；螺旋电感L_RFChoke的一端与漏极直流电给入端口以及旁路电容C_Bypass的一端均连接，旁路电容C_Bypass的另一端接地，螺旋电感L_RFChoke的另一端与场效应晶体管漏极连接；

带通滤波器型输出匹配网络包括：电容C5和C6、电感L5-L8；电容C5的一端和电感L5的一端与输出隔直电容C4的一端均连接，电感L5的另一端接地，电容C5的另一端与电感L6的一端连接，电感L6的另一端与电感L7的一端和电感L8的一端均连接，电感L7的另一端接地，电感L8的另一端和电容C6的一端均与输出端连接，电容C6的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，电容C1、C2、C5、C6均为双层交指电容，交指终端的两层金属通过金属通孔互联。

6.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，集总功率合成放大器设置在介质集成悬置线平台上，所述介质集成悬置线平台包括5层自上而下叠压的双面印刷电路板，第3层电路板上、下表面设计有基于集总元件的功率合成放大器电路，第2层和第4层电路板分别镂空，保证第1层和第3层电路板、第3层和第5层电路板之间形成空腔结构。

7.根据权利要求6所述的基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，其特征在于，介质集成悬置线平台的第1层、第2层、第4层和第5层电路板的中间介质采用Fr4，第3层电路板的中间介质采用Rogers5880。