[发明专利]一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

权利要求书

1.一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，其特征在于：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应10min～1h制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所使用的铋铜合金中铋:铜的摩尔质量比为1:1～3：1。

3.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：金属铜单质和铋单质的厚度分别为10～100nm。

4.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述金属铋铜合金薄膜的厚度为40～100nm。

5.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料的薄膜金属面向上平放到含有碘粒的内胆中，保证金属层不与碘粒直接接触。

6.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料或者具有铋铜合金薄膜的基底材料是在基底表面先溅射一层单质金属，再溅射另一层单质金属作基底材料或者在基底上直接溅射铋铜合金得到。

7.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所使用的溅射方法为直流磁控溅射。

8.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的基底材料为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃或普通载玻片。