[发明专利]一种介质基片光刻对准标记、对准方法及光刻方法

权利要求书

1.一种介质基片光刻对准标识，其特征在于，所述对准标识为使用激光机加工的“十”字对准标记，加工遍数为1次；“十”字对准标记的横线和竖线的中心具有相对边沿更亮的中心线；“十”字对准标记设置在介质基片边缘；

将介质基片固定在激光机的工作台上，设定对准标记的加工参数，包括功率、扫描次数、进给距离、进给次数、扫描速度，功率设定范围为5～20W，扫描次数为1次，进给距离和进给次数用于加工通孔，加工对准标记时设定为0，扫描速度设定范围为100～400mm/s，将介质基片待加工图形定位对准后开始加工“十”字对准标记。

2.一种介质基片光刻对准方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(a)，使用激光机在介质基片边缘加工至少2个“十”字对准标记，加工遍数为1次；

步骤(b)，光刻时，通过调整承片台使介质基片上的“十”字对准标记中心线与掩模版上的对准标记中心线对准；

掩模版上的“十”字对准标记的末端是等腰三角形，等腰三角形的顶点在“十”字对准标记的中心线上，掩模版上等腰三角形的顶点定义了掩模版“十”字对准标记的中心线，介质基片上的“十”字对准标记也有中心线，光刻时将掩模版上等腰三角形的顶点与介质基片上的“十”字对准标记中心线对准。

3.一种薄膜电路的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)，使用激光机在介质基片上按照电路设计图纸上金属化接地孔的位置加工通孔，通孔的加工遍数大于1次，直到通孔贯穿介质基片正面和反面；

步骤(2)，使用激光机在介质基片边缘加工“十”字对准标记，加工遍数为1次；

步骤(3)，清洗基片后真空溅射镀膜；

步骤(4)，在镀膜的表面涂覆光刻胶；

步骤(5)，光刻时通过调整承片台使介质基片上的“十”字对准标记中心线与掩模版上的对准标记中心线对准；

掩模版上的“十”字对准标记的末端是等腰三角形，等腰三角形的顶点在“十”字对准标记的中心线上，掩模版上等腰三角形的顶点定义了“十”字对准标记的中心线，介质基片上用激光机加工一遍的“十”字对准标记也有中心线，光刻时将掩模版上等腰三角形的顶点与介质基片上的“十”字对准标记中心线对准；

“十”字对准标记中心线对准包括以下步骤：

步骤(1)，使用激光机在介质基片上按照电路设计图纸上金属化接地孔的位置加工通孔，使用的介质基片为纯度大于99.6％的氧化铝陶瓷，使用紫外激光机加工通孔；

步骤(2)，使用紫外激光机在氧化铝陶瓷基片的左侧和右侧电路图形外面加工3行“十”字对准标记；

步骤(3)，清洗基片后真空溅射镀膜，清洗基片的过程使用丙酮或酒精在加热和超声条件下清洗，基片烘干后在其正面和反面分别溅射TiW层和Au层；

步骤(4)，使用喷胶的方法在基片的正面涂覆正性光刻胶；

步骤(5)，光刻时通过调整承片台使介质基片上的“十”字对准标记中心线与掩模版上的对准标记中心线对准，掩模版的左右两侧有3行“十”字对准标记，中心位置与介质基片上的“十”字对准标记相同，掩模版上的“十”字对准标记的末端是等腰三角形，等腰三角形的顶点在“十”字对准标记的中心线上，光刻时将两个中心线对准。