[发明专利]具有凸面的体声波谐振器及其形成方法

说明书

本发明涉及具有凸面的体声波谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器(102)包含：第一电极(112)；压电层(110)，其形成于所述第一电极(112)上，所述压电层(110)具有凸面(116)；及第二电极(120)，其形成于所述凸面(116)上。实例集成电路IC封装(100)包含BAW谐振器(102)，其安置于所述IC封装(100)中，所述BAW谐振器(102)包含具有凸面(116)的压电层(110)。

技术领域

本发明大体上涉及体声波(BAW)谐振器，且更特定来说，本发明涉及具有凸面的BAW谐振器及其形成方法。

背景技术

在BAW谐振器中，压电层的顶部及底部表面上的电极(例如，接点、金属片等)提供电压偏置以通过压电(及逆压电)效应激发声波。特定频率的体声波生成于压电层的顶部与底部表面之间的谐振腔内以形成谐振响应。

发明内容

本发明揭示具有凸面的BAW谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器包含：第一(例如，下)电极；压电层，其形成于所述第一电极上，所述压电层具有凸面；及第二(例如，下)电极，其形成于所述凸面上。实例集成电路(IC)封装包含BAW谐振器，其安置于所述IC封装中，所述BAW谐振器包含具有凸面的压电层。在一些实例中，所述BAW谐振器与IC裸片集成于所述IC封装中。

附图说明

图1是根据本发明构造的包含具有实例凸面的实例BAW谐振器的实例集成电路(IC)封装的横截面侧视图。

图2是表示根据本发明的可经实施以形成具有凸面的BAW谐振器的实例过程的流程图。

图3A、3B、3C、3D及3E说明用于形成压电凸面的实例成形光刻过程的各个阶段。

图式并非是按比例的。代替地，为了阐明多个层及区域，可放大图中层的厚度。在可能的情况下，贯穿图及所附书面描述将使用相同参考数字来指代相同或相似部件。如本专利中使用，陈述任何部件(例如，层、膜、区或板)以任何方式定位于(例如，定位于(positioned on/located on)、安置于或形成于等)另一部件上，指示参考的部件接触另一部件，或参考的部件在另一部件上方，其间定位有一或多个中间部件。陈述任何部件接触另一部件意味着在两个部件之间不存在中间部件。参考当前考虑或说明的定向使用术语(例如向上、向下、顶部、底部、侧、端、前、后等)的使用。如果考虑不同定向，必须对应地修改此类术语。所呈现的各个图中展示的连接线或连接器希望表示各个元件之间的实例功能关系及/或物理或逻辑耦合。

具体实施方式

现将详细参考本发明的非限制性实例，在附图中说明其实例。下文通过参考图描述所述实例。

装置(例如现代无线通信装置)的性能主要取决于用于系统中的时钟信号的准确性及噪声电平。此类系统必须需要高频率且高品质因数(Q)谐振器。Q是反映振荡器的低阻尼且相对于其中心频率特性化谐振器的带宽的无维参数。已知BAW谐振器的Q比压电材料的内在限制低10到100倍。为了改进BAW谐振器的性能，本文揭示包含具有凸面的压电层的实例BAW谐振器。压电层的实例凸面保持BAW谐振器的有源区域中的更多声能，借此增加BAW谐振器的Q(例如，按两倍或更高)，且又提高系统的性能。如将描述，具有本文揭示的凸面的实例压电层可使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)制造过程兼容的处理步骤形成。例如，压电材料的凸面可使用灰度级光刻、成形光刻、倾斜的光刻等形成。

图1是具有安置于实例IC封装100中的实例BAW谐振器102的实例IC封装100的横截面侧视图。图1的实例IC封装100是在底侧108上具有多个接点(以参考元件符号106标示的实例)的表面安装装置。然而，实例IC封装100可为任何类型，且可具有任何形式、材料、形状、尺寸、任何数目个接点、任何形状的接点等。而且，BAW谐振器102及/或任何其它组件可以任何方式封装、安装(等)于IC封装100中。实例IC封装100可为(例如)基于半导体的装置。在一些实例中，IC封装100是晶片级封装或裸片级封装。