[发明专利]二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底及其加工方法在审
| 申请号： | 201810645247.7 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108680979A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈志斌;肖程;秦梦泽;张冬晓 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军63908部队 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G01N21/65 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 胡澎 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正弦光栅 二维 基底 偏振敏感 光刻胶 衬层 固化 贵金属膜层 入射激光 上表面 偏振 附着 基层上表面 分布形式 三层结构 应用检测 检测 加工 基层 | ||
1.一种二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底，其特征是，由三层结构组成，包括位于底部的SiO2基层、位于所述SiO2基层上表面的固化的光刻胶衬层以及附着在所述固化的光刻胶衬层上表面的贵金属膜层；所述固化的光刻胶衬层的上表面和所附着的贵金属膜层呈现二维正弦光栅结构的分布形式，用以在任意偏振方向的入射激光激励情况下产生稳定的增强电场强度。
2.根据权利要求1所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底，其特征是，在所述固化的光刻胶衬层的上表面形成的二维正弦光栅结构，是用两个相干光干涉光刻系统在固化的光刻胶衬层的上表面的两个相互垂直方向同时曝光生成的，其深度是通过调整曝光时间来控制的。
3.根据权利要求2所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底，其特征是，所述相干光干涉光刻系统的激光波长为266nm。
4.根据权利要求1所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底，其特征是，所述贵金属膜层是通过热蒸镀方法将金或银均匀、致密地附着在所述固化的光刻胶衬层的上表面，其厚度是通过调整蒸镀时间来控制的。
5.一种二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底的加工方法，其特征是，包括以下步骤：
a、制作SiO2基层，将其上表面制成为平面；
b、用紫外固化光学胶NOA-63在SiO2基层的上表面固化一层光刻胶，形成固化的光刻胶衬层；
c、用两个相干光干涉光刻系统在所述固化的光刻胶衬层的上表面的两个相互垂直方向同时曝光，使所述固化的光刻胶衬层的上表面形成二维正弦光栅结构；
d、通过热蒸镀方法将金或银均匀、致密地附着在所述固化的光刻胶衬层的上表面，以形成贵金属膜层。
6.根据权利要求5所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底的加工方法，其特征是，在所述固化的光刻胶衬层的上表面所形成的二维正弦光栅结构的深度是通过调整曝光时间来控制的。
7.根据权利要求5所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底的加工方法，其特征是，贵金属层的厚度是通过调整蒸镀时间来控制的。
8.根据权利要求5所述的二维正弦光栅抗偏振敏感SERS基底的加工方法，其特征是，所述相干光干涉光刻系统的激光波长为266nm。
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