[发明专利]一种真空镀钌技术的预处理工艺

说明书

本发明属于镀钌技术工艺，具体涉及一种真空镀钌技术的预处理工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片放入电解池中进行电解脱脂反应，然后利用纯水冲洗干净；步骤2，将冲洗后的钼片加入至混合酸液中进行表面除膜处理，处理后采用纯水冲洗干净；步骤3，将除膜处理后的钼片放入真空设备内抽真空加热反应；步骤4，持续温度，对钼片进行等离子清洗，清洗结束后冷却得到预处理后的钼片。本发明解决了现有技术污染性大，且粘附效果不佳的问题，利用碱电解+混合酸洗+等离子清洗联合技术，有效的提升钼片表面的清洁度，提升钼片与钌层之间结合力。

技术领域

本发明属于镀钌技术工艺，具体涉及一种真空镀钌技术的预处理工艺。

背景技术

目前影响磁控溅射镀膜膜层质量的因素有很多，电压，功率，氩气气压，钼片表面状况等等都对成膜有着很大的影响，而其中，尤以钼片表面状况最为重要，如果钼片表面氧化程度较高，油脂等有机物较多，对镀钌后的表面结合力，耐腐蚀性和电性能都有着难以想象的影响，不仅仅会造成钼片镀层脱落，含氧量过高，同时会使得表面电阻增大，电性能降低。由于真空镀膜无法做到随洗随镀，清洗之后的钼片难免要暴露在空气中一段时间，因此想要获得高质量的镀层，除了对环境因素有着较高的要求，对预处理这一块也需要着较高的处理要求。

公开号为CN101845629A的中国发明专利公开了一种钼片复合镀钌工艺，包括如下步骤：步骤1、对钼片进行前处理；步骤2、用化学镀钌法在钼片表面镀上第一层钌膜镀层；步骤3、将钼片进行超声清洗；步骤4、将钼片放入真空溅射装置中，对钼片表面进行钌物理气相沉积，在钼片表面镀上第二层钌膜镀层；步骤5、将钼片进行超声清洗；步骤6、电镀前的预处理；步骤7、用电镀法对钼片电镀第三层钌膜镀层。

该技术方案采用的前处理方式是：步骤1，用有机溶剂(三氯乙烯)为钼片脱脂；步骤2，用电解脱脂法为钼片脱脂(处理时间：阴极时间5-10min阳极时间0.5min，温度70-80℃，电解脱脂液：氢氧化钠10-20g/L、碳酸钠20-30g/L、磷酸钠20-30g/L)，步骤3，纯水清洗(两次逆流漂洗，室温，处理时间：2min)；步骤4，弱浸蚀法去除钼片表面氧化层(室温，处理时间：15-30min，弱浸蚀液：15％(质量分数)的盐酸、15％(质量分数)的硫酸和70％的水溶液)。步骤5，用纯水清洗(室温，处理时间：2min)；该技术方案采用有机溶剂洗涤和电解脱脂法来达到脱脂的目的，采用弱浸蚀法进行表面氧化膜的去除，该方法虽然能够将表面的杂质去除，但是对于本身钼粒子去除效果不佳，转移过程中形成氧化膜，同时钼粒子的脱落依然会造成粘附效果不佳的问题，且有机溶剂的使用易造成较大污染。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种真空镀钌技术的预处理工艺，解决了现有技术污染性大，且粘附效果不佳的问题，利用碱电解+混合酸洗+等离子清洗联合技术，有效的提升钼片表面的清洁度，提升钼片与钌层之间结合力。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一种真空镀钌技术的预处理工艺，按照如下步骤：

步骤1，将钼片放入电解池中进行电解脱脂反应，然后利用纯水冲洗干净；

步骤2，将冲洗后的钼片加入至混合酸液中进行表面除膜处理，处理后采用纯水冲洗干净；

步骤3，将除膜处理后的钼片放入真空设备内抽真空加热反应；

步骤4，持续温度，对钼片进行等离子清洗，清洗结束后冷却得到预处理后的钼片。

所述步骤1中电解池内的电解液采用混合碱液，所述混合碱液由氢氧化钠溶液和碳酸钠溶液混合而成，所述混合碱液中的氢氧化钠浓度为10-20g/L，碳酸钠浓度为20-30g/L。

所述步骤1中的电解脱脂的温度为70℃，时间为2min，所述电解脱脂的电流密度为50mA/cm²。