[发明专利]带有耦合场板的高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极和漏电极之间的介质层表面设有若干耦合场板，相邻两个耦合场板之间间隔设定距离；每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接；通过设置耦合电极与相应耦合场板之间的覆盖面积，能够改变耦合电极对相应耦合场板的耦合作用大小，从而改变相应耦合场板的耦合电位，进而调节相应耦合场板下方势垒层中的横向电场，最终优化器件栅电极与漏电极之间的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力；

在源电极到漏电极的方向上，所述耦合电极与相应耦合场板之间相互覆盖的面积依次递减；

所述耦合电极之间的金属互连线以及耦合电极与源电极之间的金属互连线在宽度方向上相互间隔设定距离，防止金属互连线带来的场板效应在长度方向上相互叠加，从而避免金属互连线降低器件的横向耐压能力。

2.如权利要求1所述的带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极之间的空隙采用绝缘介质填充。

3.一种电源管理芯片，其特征在于，采用权利要求1或2所述的任一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管。

4.一种应用于电脑或手机的电源适配器，其特征在于，采用权利要求1或2所述的任一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管。

5.一种存储器芯片，其特征在于，采用权利要求1或2所述的任一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管。