[发明专利]一种多晶硅锭的制备工艺及其多晶硅锭

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)装料：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；

2)加热熔化：将铸锭炉抽至真空，加热至硅料熔化，在熔化阶段后期逐渐升高隔热笼至第一高度，打开抽板；

3)结晶：控制隔热笼的上升速度，将隔热笼从第一高度逐渐调整到第二高度后停止上升，控制抽板配合隔热笼的高度逐渐打开至设定开度后停止；

4)退火：对结晶结束的铸锭进行退火；

5)冷却：退火结束后冷却制得多晶硅锭；

所述结晶过程的温度为1405-1435℃，结晶时长为35-45h；所述退火过程的时长为130-140min。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述第一高度为4-6cm，所述第二高度为6-8cm，所述隔热笼的上升速率为0.05-0.15mm/min，所述抽板的设定开度为70-80cm。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述步骤3)中结晶步骤包括三个阶段，分别为第一阶段、第二阶段和第三阶段，所述隔热笼在结晶第一阶段完成从第一高度上升至第二高度，所述抽板在结晶第二阶段完成打开至设定开度。

4.根据权利要求3所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述第一阶段和第二阶段为中心长晶阶段，所述第三阶段为边角结晶阶段；

所述隔热笼在第一阶段的上升速率为0.055-0.156mm/min，所述抽板在第一阶段的打开速率为0.31-0.68mm/min，在第二阶段的打开速率为0.12-0.16mm/min。

5.根据权利要求4所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述第一阶段时长为260-280min，温度为1425-1433℃；所述第二阶段时长为28-36h，温度为1415-1425℃；所述第三阶段时长为170-185min，温度为1408-1411℃。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述步骤4)的退火在所述隔热笼和抽板降至零位，温度降为1330℃时开始；所述退火的加热方式分为温度控制加热和功率控制加热，所述温度控制加热的温度为1325-1332℃，所述功率控制加热的功率为20％-60％。

7.根据权利要求6所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述退火可分为三个过程，分别为第一过程、第二过程和第三过程，所述第一过程为温度控制加热，时长40-60min，具体为TC1温度为1330℃；所述第二过程为温度控制加热，时长55-65min，具体为TC1温度为1330℃,TC2温度为1250℃；所述第三过程为功率控制加热，时长25-35min，具体为功率设定20％。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述步骤1)装料的具体步骤为：将重量为1150-1200kg的多晶硅原料装入1240mm×1240mm×540mm的坩埚中。

9.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的制备工艺，其特征在于，所述铸锭炉为G7规格、型号JJL-1200的铸锭炉。

10.一种多晶硅锭，其特征在于，由权利要求1-9中任一项所述制备工艺制备。