[发明专利]NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

权利要求书

1.一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底之上形成N型埋层和P型埋层；

在N型埋层和P型埋层之上形成外延层；

对外延层进行光刻、蚀刻和化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构；

在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积；

采用同一掩模板对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区和N型阱区；

采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；

通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在N型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，通过P型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在P型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构，位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度大于位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度；

在场效应氧化层之上形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱区和N型阱区的步骤顺序包括：

首先，对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区；

其次，对外延层进行光刻和离子注入形成N型阱区；

形成所述P型阱区和N型阱区的离子注入的离子源不同。

3.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱区和N型阱区的步骤顺序包括：

首先，对外延层进行光刻和离子注入形成N型阱区；

其次，对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区；

形成所述P型阱区和N型阱区的离子注入的离子源不同。

4.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成N型漏极漂移区和形成P型漏极漂移区的步骤顺序包括：

首先，采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区；

其次，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区。

5.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成N型漏极漂移区和形成P型漏极漂移区的步骤顺序包括：

首先，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；

其次，采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区。

6.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构和形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的步骤顺序包括：

首先，通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在N型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构；

其次，通过P型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在P型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构。

7.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构和形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的步骤顺序包括：

首先，通过P型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在P型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构；

其次，通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在N型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构。

8.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述场效应氧化层为复合结构，包括形成于衬底之上的氧化物和氮化物。