[发明专利]一种NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

权利要求书

1.一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底之上形成N型埋层和P型埋层；

在N型埋层和P型埋层之上形成外延层；

对外延层进行光刻、蚀刻和化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构；

在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积；

采用同一掩模板对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和第一次离子注入形成P型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构以及形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的预制P型隔离结构；

采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构，并在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区；

在场效应氧化层之上形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构，并在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区的步骤顺序依次包括：

首先，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区；

其次，对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构；

再次，采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；

最后，在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区。

3.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构，并在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区的步骤顺序依次包括：

首先，采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；

其次，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区；

再次，对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构；

最后，在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区。

4.如权利要求1所述的全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，同时对位于N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构，并在P型漏极漂移区内形成P型阱区，以及在N型漏极漂移区内形成N型阱区的步骤顺序依次包括：

首先，采用NGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区；

其次，对N型漏极漂移区下方的预制P型隔离结构进行第二次离子注入，形成N型漏极漂移区与N型埋层之间的P型隔离结构；

再次，在N型漏极漂移区内形成N型阱区；

然后，采用PGRD光罩对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；

最后，在P型漏极漂移区内形成P型阱区。