[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201810575445.0 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN109037275B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 李晙硕;金世埈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/00 | 分类号: | H10K59/00;H10K59/12;H10K59/131;H10K59/38 |
代理公司: | 北京市集佳律师事务所 16095 | 代理人: | 谭天 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
公开了一种有机发光二极管显示装置。该有机发光二极管显示装置包括:具有复数个像素的第一基板,在第一基板中布置有薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的有机发光二极管;第二基板,其具有被施加电源电压的电源配线;以及导电填料层,其介于第一基板和第二基板之间并具有导电介质。有机发光二极管的阴极和电源配线通过导电填料层电连接。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示装置。
背景技术
已经开发了能够减小作为阴极射线管的缺点的重量和体积的各种显示装置。显示装置可以实施为液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光显示器、有机发光二极管显示装置等。
在这些显示装置中,有机发光二极管显示装置是激发有机化合物以发光的自发射型显示装置。有机发光二极管显示装置由于不需要在LCD中使用的背光而具有轻而薄并且简化工艺的优点。另外,由于有机发光二极管显示装置具有诸如低温制造、作为响应速度小于1ms的高响应速度、低功耗、宽视角和高对比度等特性,因此被广泛使用。
有机发光二极管显示装置包括用于将电能转换成光能的有机发光二极管(OLED)。有机发光二极管包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的有机发光层。在有机发光二极管显示装置中,分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在有机发光层中复合形成激子。所形成的激子在从激发态落回到基态时发光并显示图像。
然而,大面积有机发光显示装置无法在显示输入图像的有源区域的整个表面上保持均匀的亮度,使得取决于位置产生亮度偏差。更具体地,构成有机发光二极管的阴极形成为覆盖大部分有源区域,并且产生施加至阴极的电源电压在整个表面上不具有均匀电压值的问题。例如,由于施加有电源电压的导入部分处的电压值与远离导入部分的位置处的电压值之间的偏差由于阴极的电阻而增大,所以取决于位置的亮度偏差增加。
在顶部发射型显示装置中这些问题更为成问题。即,在顶部发射型显示装置中,由于需要确保位于有机发光二极管中的上层中的阴极的透射率,所以阴极可以由透明导电材料(例如,铟锡氧化物(ITO))形成,或者可以由具有非常薄的厚度的不透明导电材料形成。在这种情况下,由于表面电阻变大,所以取决于位置的亮度偏差相应地变得相当大。
为了解决这样的问题,已经提出了如下方法:形成包括低电阻材料的Evss配线并将该配线连接至阴极以防止取决于位置的电压降。由本申请人提交的申请号10-2008-0127071中示出了Evss配线和阴极的连接结构。然而,相关技术中公开的Evss配线和阴极的连接结构具有复杂的连接结构并且需要诸如形成分隔的附加过程。因此,产生制造成本和制造时间增加以及制造率降低的问题。
此外,在相关技术中公开的结构中,由于Evss配线形成在第一基板上,因此需要在一个像素中分配Evss配线和阴极的连接区域以及薄膜晶体管区域和存储电容器区域。因此,相关技术中公开的结构具有难以应用于具有小的单个像素尺寸的高分辨显示装置的问题。
发明内容
本公开提供了一种有机发光二极管显示装置,其防止了取决于位置的电压降,从而消除了亮度不均匀性的问题。
在一个方面,提供了一种有机发光二极管显示装置,其包括:具有复数个像素的第一基板,在该复数个像素中布置有薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的有机发光二极管;第二基板,其具有被施加电源电压的电源配线;以及导电填料层,其介于第一基板和第二基板之间并具有导电介质。有机发光二极管的阴极和电源配线通过导电填料层电连接。
第一基板和第二基板可以包括其中设置有像素的发光区域和发光区域外的非发光区域,并且电源配线可以设置在非发光区域中。
第二基板可以包括分别跟电源配线和导电填料层直接接触的辅助配线,并且辅助配线可以包括透明导电材料。
辅助配线可以具有比电源配线更大的面积。
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