[发明专利]一种石墨烯基PCB覆铜板及制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯基PCB覆铜板，包括覆铜板半固化片、铜箔3；半固化片1、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。

2.一种石墨烯基PCB覆铜板，包括覆铜板半固化片、铜箔；半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯，石墨烯的外面为铜箔。

3.根据权利要求1或2所述的石墨烯基PCB覆铜板制备方法，其特征是包括以下步骤：

S3：将环氧树脂玻璃纤维半固化片放置于于化学气相沉积设备腔体中，进行石墨烯生长，在一面或二面均生长石墨烯；

S4：对于一面生长石墨烯半固化片，将生长有石墨烯的半固化片的面朝外，没有生长石墨烯的面相对，然后根据所要覆铜板厚度，中间再加入1-5片的环氧树脂玻璃纤维半固化片；

S5：将步骤S4中结构的上下两面再放上铜箔，放到热压炉中进行热压；热压条件为，真空度抽到大于1×10^-3mbar后，开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用50-80分钟时间升温到200-220℃；保温时间为60-120分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4-5MPa，保温过程施加压力为4.5-5.5MPa；

S6：步骤S5过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度应小于0.1MPa/s。

4.根据权利要求3所述的石墨烯基PCB覆铜板及制备方法，其特征是

所述步骤S3中，石墨烯生长过程中，化学气相沉积设备真空度应大于1×10^-3mbar，生长温度为260-275℃。

5.根据权利要求3所述的石墨烯基PCB覆铜板及制备方法，其特征是环氧树脂玻璃纤维半固化片的制备方法：S1：将100份的环氧树脂，0.5-0.9份的固化剂双氰胺，0.1-0.6份的促进剂二甲基咪唑，2-3份的溶剂二甲基酰胺置于容器中，以100-200转每分钟的速率搅拌3-5分钟得到溶液A；

S2：将裁剪好的玻璃纤维布放于溶液A中，浸渍3-5分钟，取出，放置于烘箱中，以185-210℃温度烘1-2小时后，取出降温，得到半固化片。