[发明专利]一种X射线波带片及其制备方法有效
申请号: | 201810555564.X | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108520791B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 卢维尔;夏洋;孔祥东;韩立 | 申请(专利权)人: | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
主分类号: | G21K1/06 | 分类号: | G21K1/06 |
代理公司: | 11570 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波带片 薄膜材料 支撑体 圆孔 薄膜环 带结构 折射率 制备 原子层沉积技术 光学技术领域 交替沉积 纳米级别 随机分布 主体支撑 高宽比 位相差 微电子 射线 应用 | ||
1.一种X射线波带片,其特征在于:所述波带片包括支撑体和薄膜环带结构;所述支撑体为所述波带片的主体支撑,所述支撑体的厚度即为所述波带片的厚度,其中,所述支撑体的厚度大于1μm;所述支撑体上设有随机分布的圆孔,所述圆孔的孔径大小即为波带片的直径;所述薄膜环带结构包括第一薄膜材料和第二薄膜材料,所述第一薄膜材料和第二薄膜材料交替沉积在所述圆孔的表面;所述第一薄膜材料的折射率与所述第二薄膜材料的折射率差值能够引起π位相差,可以实现大于10%的衍射效率,所述衍射效率计算公式为:
其中,δ和β为两种材料的折射率系数中,分别称为折射率的消耗和系数因子;k为2π/λ,λ为X射线的波长,t为波带片的厚度。
2.如权利要求1所述的X射线波带片,其特征在于:所述支撑体为金属或陶瓷。
3.如权利要求1所述的X射线波带片,其特征在于:所述第一薄膜材料和所述第二薄膜材料为氧化物、氮化物或金属。
4.一种X射线波带片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
根据所需波带片的厚度和直径制备带有圆孔的支撑体;
其中,所述支撑体的厚度即为所述波带片的厚度,且,所述支撑体的厚度大于1μm;
在所述支撑体的圆孔的表面采用原子层沉积技术交替沉积第一薄膜材料和第二薄膜材料作为波带片逐层递减的薄膜环带结构;
将所述支撑体两面沉积的薄膜材料刻蚀掉;
对裸露出的所述波带片表面进行抛光。
5.如权利要求4所述的X射线波带片的制备方法,其特征在于:所述支撑体上的圆孔的孔径大于30μm。
6.如权利要求4所述的X射线波带片的制备方法,其特征在于:所述制备带有圆孔的支撑体,具体包括如下步骤:
采用聚焦离子束、激光或电化学工艺对所述支撑体进行打孔抛光,形成若干随机分布的圆孔。
7.如权利要求4所述的X射线波带片的制备方法,其特征在于:交替沉积的所述第一薄膜材料和所述第二薄膜材料的厚度根据设计要求递增,沉积的第一层薄膜材料厚度与最外环宽度相等,且大于1nm。
8.如权利要求4所述的X射线波带片的制备方法,其特征在于:所述将所述支撑体两面沉积的薄膜材料刻蚀掉,具体包括如下步骤:
采用化学机械抛光法或者聚焦离子束将所述支撑体两面沉积的薄膜材料刻蚀掉。
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