[发明专利]像素基板、液晶显示面板及液晶显示器在审
申请号: | 201810553532.6 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108776401A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 左清成 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 列像素单元 存储电容 像素基板 液晶显示面板 液晶显示器 液晶像素 公共电极 降低功耗 馈通效应 显示效果 像素单元 源/漏极 条源 源线 栅线 申请 | ||
本申请公开了一种像素基板、液晶显示面板及液晶显示器,所述像素基板包括:液晶像素、TFT、源线、栅线、公共电极以及相应的存储电容,所述液晶像素包含多个像素单元,每一条源线与至少两列像素单元的源/漏极连接,且其中一列像素单元对应的存储电容大于其他列像素单元对应的存储电容,本申请在降低功耗的同时,降低馈通效应对显示效果的影响。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是一种像素基板、液晶显示面板及液晶显示器。
背景技术
随着TFT-LCD液晶技术的迅速发展,人们对LCD显示的清晰度要求也越来越高,即对液晶显示器分辨率要求越来越高;分辨率的增加,就需要源集成电路输出的源线数量也就越多。目前一般技术方案是通过MUX切换分时复用的方式实现分别对子像素进行充电,以达到减少源集成电路输出源线数量的目的。
现有技术中TFT-LCD液晶面板一般采用Demux驱动架构,如图2和图3所示,图2是现有技术1:3Demux驱动架构一实施方式的结构示意图,图2中201、202、203分别为Demux驱动中开关信号线的第一信号线、第二信号线以及第三信号线,204为复数条栅线,205为复数条源线,206为按R像素、G像素、B像素方式依次排列的像素单元组,其中R像素的源/漏极与源线连接,R像素的栅极与栅线连接,并由栅线与Demux驱动中第一信号线控制R像素进行充电;G像素的源/漏极与源线连接,G像素的栅极与栅线连接,并由栅线与Demux驱动中第二信号线控制G像素进行充电;B像素的源/漏极与源线连接,B像素的栅极与栅线连接,并由栅线与Demux驱动中第三信号线控制B像素进行充电。图3是现有技术1:3Demux驱动架构一实施方式的控制时序示意图,其中曲线301、302、303分别为Demux驱动中的第一信号线、第二信号线、第三信号线所对应的电平,曲线304和305分别为栅线1和栅线2所对应的电平。结合图2和图3中的内容,该Demux驱动架构的具体执行方式为:以两条栅线的情况为例,当栅线1控制对应栅极开启后,Demux驱动中第一信号线、第二信号线、第三信号线控制开关依次开启,并分别对应R像素、G像素以及B像素,其中第一信号线、第二信号线、第三信号线的频率相同,当相应的R像素、G像素以及B像素完成了一周期充电指令后,栅线1控制对应栅极关闭,栅线2控制对应栅极开启,执行对相应的R像素、G像素以及B像素下一个周期的充电指令,此时Demux驱动开关信号线开启时间的顺序周期为:第一信号线、第二信号线、第三信号线,其对应的像素单元充电时序周期为R→G→B。
基于上述Demux驱动方式,人们加以改进并提出了一种降低功耗的驱动方法,而在使用该降低功耗的Demux驱动方法时,针对不同的像素单元会出现两种馈通电压,而通常情况下所采用的公共电极电压Vcom电压只有一种,若采用上述降低功耗的驱动方法,所产生的两种不同的馈通电压势必会对公共电极电压造成影响,从而影响液晶显示器的显示效果。
发明内容
本申请主要提供一种像素基板、液晶显示面板及液晶显示器,用于解决采用降低功耗的驱动方法时产生不同馈通电压对公共电极电压造成影响,从而影响液晶显示器显示效果的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的第一个技术方案是:提供一种像素基板,该液晶显示器包括:液晶像素、TFT、源线、栅线、公共电极以及相应的存储电容,其中TFT设置于源线、栅线和液晶像素之间;液晶像素包括多个像素单元,每一条源线与至少两列像素单元的源/漏极连接,且其中一列像素单元对应的存储电容大于其他列像素单元对应的存储电容。
其中,Demux驱动结构中每一条开关信号线与一列像素单元相对应,开关信号线控制源线的信号传递;每一条栅线与一行像素单元的栅极连接,栅线与源线协同控制像素单元执行工作。
其中,存储电容中的一端与公共电极相连接或者一端与栅线相连接。
其中,每一条源线与至少两列像素单元的源/漏极连接,且其中一列像素单元对应的存储电容的极板面积大于其他列像素单元对应的存储电容的极板面积。
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