[发明专利]有机发光显示面板及其显示装置

权利要求书

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，所述阵列基板包括多个驱动元件；

与所述驱动元件对应设置的有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机功能层，所述有机功能层包括有机发光层，和位于所述阴极与所述有机发光层之间的第一电子传输层；

其中，所述第一电子传输层包括电子传输基质和第一掺杂剂，所述第一掺杂剂包括镧系金属元素，且所述第一掺杂剂的功函数小于所述阴极的功函数；

所述第一掺杂剂的熔点范围为750℃-900℃，沸点低于2300℃，且所述第一掺杂剂在所述第一电子传输层中的掺杂百分比为：0.5％-7％；

所述阴极与所述第一电子传输层之间还包括电子注入层，所述电子注入层为镧系金属，所述电子注入层的功函数大于所述第一掺杂剂的功函数；

所述有机功能层还包括位于所述第一电子传输层与所述有机发光层之间的第二电子传输层，所述第二电子传输层中不掺杂有第一掺杂剂，且所述第二电子传输层中电子传输基质的最高占据轨道能级HOMO2与所述有机发光层的主体材料的最高占据轨道能级HOMO3之间满足：

|HOMO2-HOMO3|<1eV；

所述有机功能层还包括位于所述第一电子传输层与所述第二电子传输层之间的第三电子传输层，所述第三电子传输层的基质材料与所述第二电子传输层中电子传输基质材料相同，且所述第三电子传输层中掺杂有所述第一掺杂剂，其中，

所述第三电子传输层中所述第一掺杂剂的掺杂浓度小于所述第一电子传输层中所述第一掺杂剂的掺杂浓度，且

所述第三电子传输层中靠近所述第一电子传输层的所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第三电子传输层中远离所述第一电子传输层的所述第一掺杂剂的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，

所述电子传输基质的熔点或升华点为150-430℃，沸点<500℃；

所述有机发光层的熔点或升华点为150-450℃，沸点<550℃。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第二电子传输层的厚度d≥2nm。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一电子传输层中靠近所述阴极一侧的所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第一电子传输层中远离所述阴极一侧的所述第一掺杂剂的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一掺杂剂为镧系金属单质。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一掺杂剂为镧系金属的金属氧化物或者金属卤化物。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一电子传输层中掺杂有至少两种第一掺杂剂，至少两种第一掺杂剂包括不同的镧系金属元素。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述电子注入层的功函数小于所述阴极的功函数。

9.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括权利要求1-8任一项所述的有机发光显示面板。