[发明专利]一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构及其制作方法在审
| 申请号: | 201810549621.3 | 申请日: | 2018-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN108666412A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
| 发明(设计)人: | 王德信;方华斌;宋青林 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L41/053 | 分类号: | H01L41/053;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 赵平 |
| 地址: | 261031 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 振膜 集成结构 电极 下电极 背极 衬底基板 牺牲层 集成电路 气压传感器 镂空 电连接 连接线 麦克风 封闭空间 降低功耗 外部连通 振动空间 背腔 减小 制作 噪音 芯片 引入 | ||
1.一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构,其特征在于,包括
衬底基板;
形成在所述衬底基板上的振膜、背极、上电极、下电极以及形成在所述振膜和所述背极之间和所述上电极和所述下电极之间的牺牲层;
与所述振膜和所述背极分别电连接的第一集成电路;以及
与所述下电极和所述上电极分别电连接的第二集成电路;
其中,所述衬底基板对应于所述振膜的区域设有背腔,所述振膜与所述背极间的牺牲层镂空形成与集成结构外部连通的振动空间,所述上电极和所述下电极间的牺牲层镂空形成封闭空间。
2.根据权利要求1所述的集成结构,其特征在于,所述第一集成电路和第二集成电路设于所述衬底基板上,
所述第一集成电路上形成有第一金属层,所述第二集成电路上形成有第二金属层;
所述牺牲层上进一步形成有通过第一过孔与第一金属层电连接的第一引出电极和通过第二过孔与第二金属层电连接的第二引出电极;
所述第一引出电极进一步与所述背极连接,所述第二引出电极进一步与所述上电极连接。
3.根据权利要求2所述的集成结构,其特征在于,
所述振膜上形成有第三金属层,所述下电极上形成有第四金属层,
所述第三金属层通过形成在所述衬底基板上的第一金属走线与所述第一金属层连接,所述第四金属层通过形成在所述衬底基板上的第二金属走线与所述第二金属层连接;或者
所述牺牲层上进一步形成有通过第三过孔与所述第三金属层电连接的第三引出电极和通过第四过孔与所述第四金属层电连接的第四引出电极,所述第三引出电极与所述第一引出电极电连接,所述第四引出电极与所述第二引出电极电连接。
4.根据权利要求2所述的集成结构,其特征在于,所述第一引出电极和第二引出电极上进一步形成有钝化层;
所述第一引出电极和第二引出电极的至少部分暴露于所述钝化层外部。
5.根据权利要求1所述的集成结构,其特征在于,所述牺牲层与所述上电极和所述背极间进一步设有绝缘层,所述绝缘层对应所述振动空间的区域形成有用于所述振动空间与集成结构外部连通的第三通孔。
6.一种MEMS麦克风和气压传感器集成结构的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上通过构图工艺形成振膜、下电极、第一集成电路和第二集成电路;
形成牺牲层;
在所述牺牲层上通过构图工艺形成上电极和背极;
其中,所述第一集成电路与所述振膜和所述背极分别电连接,所述第二集成电路与所述下电极和所述上电极分别电连接;
将所述上电极与所述下电极间的牺牲层腐蚀掉并封闭形成封闭空间;
将所述振膜与所述背极间的牺牲层腐蚀掉形成与集成结构外部连通的振动空间;
将所述衬底基板对应所述振膜的区域腐蚀掉形成背腔。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述方法进一步包括:
在沉积牺牲层之前,在所述第一集成电路和第二集成电路上沉积金属并图案化形成第一金属层和第二金属层;
在沉积牺牲层之后,在牺牲层上进一步形成与所述第一金属层连接的第一过孔和与所述第二金属层连接的第二过孔并分别金属化所述第一过孔和所述第二过孔;
在牺牲层的上表面沉积金属并图案化形成与所述第一过孔连接的第一引出电极和与所述第二过孔连接的第二引出电极,同时通过图案化使第一引出电极和背极连接和使第二引出电极和上电极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔股份有限公司,未经歌尔股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810549621.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





