[发明专利]一种IGBT芯片矩阵模型自动生成方法及系统

权利要求书

1.一种IGBT芯片矩阵模板，其特征在于，所述IGBT芯片矩阵模板包括IGBT芯片、以及设置于所述IGBT芯片上的信息采集模型；

所述信息采集模型用于采集IGBT芯片的电路特性参数。

2.如权利要求1所述的IGBT芯片矩阵模板，其特征在于，所述信息采集模型，包括：电阻模型、寄生参数模型、电容和电流传感器；

所述IGBT芯片模型的C极、G极和E极分别连接所述电阻模型之后与对应电极的所述寄生参数模型连接；

所述电阻模型，用于模拟IGBT芯片的C极、G极和E极的端口；

所述寄生参数模型，用于模拟IGBT芯片的寄生电感和寄生互感的特性；

所述电流传感器与IGBT芯片的E极连接，用于获取IGBT芯片的电流；

所述电容与IGBT芯片的C极和E极连接，用于模拟IGBT芯片的C极和E极寄生电容。

3.如权利要求2所述的IGBT芯片矩阵模板，其特征在于，所述电阻模型，包括：

与所述IGBT芯片模型C极连接第一压接电阻；

与所述IGBT芯片模型G极连接第二压接电阻；

与所述IGBT芯片模型E极连接第三压接电阻。

4.如权利要求3所述的IGBT芯片矩阵模板，其特征在于，所述寄生参数模型，包括：寄生电感、寄生电阻和寄生电容；

与所述IGBT芯片模型C极连接的第一寄生电感、第一寄生电阻和第一寄生电容，之后与所述第一压接电阻连接；

与所述IGBT芯片模型G极连接的第二寄生电感、第二寄生电阻和第二寄生电容，之后与所述第二压接电阻连接；

与所述IGBT芯片模型E极连接的第三寄生电感、第三寄生电阻和第三寄生电容，之后与所述第三压接电阻连接。

5.一种IGBT芯片矩阵模型自动生成方法，其特征在于，所述方法包括：

获取IGBT芯片矩阵模板中IGBT芯片结构及连接关系建立IGBT芯片模型；

通过IGBT芯片模板中的信息采集模型读取所述IGBT芯片模板中各电路元件的特性参数；

基于所述特性参数对所述IGBT芯片模型进行配置；

对配置后的IGBT芯片模型进行封装，生成IGBT芯片矩阵模型。

6.如权利要求5所述的IGBT芯片矩阵模型自动生成方法，其特征在于，所述通过IGBT芯片模板中的信息采集模型的读取所述IGBT芯片模板电路特性参数，包括：

通过所述信息采集模型的电阻模型读取所述IGBT芯片的C极、G极和E极的端口信息；

通过所述信息采集模型的寄生参数模型读取IGBT芯片C极、G极和E极对应的寄生电感、寄生电阻和寄生电感信息；

通过所述信息采集模型的电容读取IGBT芯片C极和E极质检的电容信息。

7.如权利要求6所述的IGBT芯片矩阵模型自动生成方法，其特征在于，所述基于所述参数和内部连接结构对预先构建的IGBT芯片矩阵模板进行配置，包括：

将所述读取的IGBT芯片的C极、G极和E极的端口信息配置到所述IGBT芯片模型中对应的C极、G极和E极；

将所述读取的IGBT芯片的第一寄生电感、第一寄生电阻和第一寄生电容配置到所述IGBT芯片的C极；

将所述读取的IGBT芯片的第二寄生电感、第二寄生电阻和第二寄生电容配置到所述IGBT芯片的G极；

将所述读取的IGBT芯片的第三寄生电感、第三寄生电阻和第三寄生电容配置到所述IGBT芯片的E极；

将所述读取的IGBT芯片的电容信息配置到所述IGBT芯片模型中对应的电容。

8.如权利要求5所述的IGBT芯片矩阵模型自动生成方法，其特征在于，所述对配置后的IGBT芯片矩阵模板进行封装，生成IGBT芯片矩阵模型，包括：

基于配置后的IGBT芯片模板获取IGBT芯片模板并联数量和所有模型、电路元件和端口生成的电路符号；

基于所有IGBT芯片模板、所述电路符号、内部连接结构和获取的各个电路元件值自动将各个电路元件模型集成，生成所述IGBT芯片矩阵模型。