[发明专利]插拔式中间接头缺陷模型及模型的制作方法在审
申请号: | 201810541343.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108445368A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 曲健;刘伟;张磊;张涛;王才华;石倩文;曲奎龙;辛超 | 申请(专利权)人: | 青岛华电高压电气有限公司;青岛汉缆股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/08 |
代理公司: | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人: | 雷斐 |
地址: | 266000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内螺纹孔 缺陷模型 主绝缘层 缆芯 内半导电层 外半导电层 中间接头 插头 插拔式 应力锥 柱螺栓 绕包 制作 啮合 环形外表面 电缆本体 两端端面 模拟电缆 模拟检测 锁紧装置 运行过程 导线层 内螺纹 外螺纹 断口 电缆 外部 制造 | ||
1.一种拔插式中间接头缺陷模型,包括缆芯(5),其特征在于:所述缆芯(5)的两端端面分别设置内螺纹孔,内螺纹孔内设有插头,插头包括柱螺栓和锁紧装置,柱螺栓的外螺纹与内螺纹孔的内螺纹啮合,缆芯(5)的环形外表面设有内半导电层(1),内半导电层(1)的环形外侧设有主绝缘层(2),主绝缘层(1)的环形外侧的中部设有外半导电层(4),主绝缘层(1)的环形外侧的两端分别设置应力锥(3),应力锥(3)底部的一端绕包在外半导电层(4)的外部,另一端绕包在外半导线层(4)断口的环形外侧。
2.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述主绝缘层(2)的外表面放置有金属铜颗粒。
3.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述主绝缘层(1)的外表面沿轴向设有长度为2-5cm、深度为1-2mm的划伤线(7)。
4.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述缆芯(5)的外表面设有至少一个缆芯毛刺(8)。
5.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述外半导电层(4)断口处的环形外表面设置带有尖端形状的外半导电层毛刺(9),外半导电层毛刺(9)的截面形状为三角形。
6.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述主绝缘层(1)的外侧两端分别绕包应力锥(3)和绝缘胶带(10),主绝缘侧层(1)的一端绕包有应力锥(3),另一端绕包有绝缘胶带(10)。
7.根据权利要求1所述的插拔式中间接头缺陷模型,其特征在于:所述外半导电层(1)的端口与应力锥(7)的搭接处设有在浓度为5%的盐水中充分浸泡12h的绵线(11)。
8.一种权利要求1-7任一权利要求书所述插拔式中间接头缺陷模型的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
S1.制作主绝缘表面颗粒缺陷模型的模具:模具包括缆芯、套筒、顶部端盖、底部端盖和螺栓,在缆芯的两端分别加工内螺纹孔后,将缆芯放入套筒中,缆芯的两端分别通过螺栓固定在顶部端盖和底部端盖上,并通过螺栓和缆芯两端的内螺纹之间的相互啮合,将缆芯的位置固定,顶部端盖处设有浇注孔,底部端盖设有溢出孔;
S2.制作主绝缘表面颗粒缺陷模型:
S2.1在缆芯上均匀喷涂半导电材料,待半导电材料至完全干透,形成内半导电层;
S2.2将缆芯放入上述模具中进行绝缘材料浇注,浇注完毕,放入烘箱中烘干,烘干温度为100-180℃,烘干时间为1-2h,形成主绝缘层,烘干后脱模,去掉套筒和两端的端盖;
S2.3在主绝缘层的外侧中部均匀喷涂半导电材料,至材料完全干透,形成外半导电层;
S2.4主绝缘层的外部缠绕铜编织带作为外屏蔽层,缆芯两端的内螺纹连接带有锁紧装置和柱螺栓的插头,缆芯两端头作屏蔽处理,在主绝缘层的外侧两端分别绕包应力锥,应力锥与外半导电层的断口搭接。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:将缆芯放入上述模具中进行绝缘材料浇注形成主绝缘层后,在主绝缘层的环形外表面放置金属铜颗粒,从而形成主绝缘表面颗粒缺陷模型。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:将缆芯放入上述模具中进行绝缘材料浇注形成主绝缘层后,在主绝缘层的环形外表面上沿其轴向划出长度为2-5cm、深度为1-2mm的划伤线,从而形成主绝缘划伤缺陷模型。
11.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于:在主绝缘层的外侧中部均匀喷涂半导电材料时,将半导电材料的断口处喷涂出尖端形状,从而形成缆芯毛刺缺陷模型。
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