[发明专利]一种高效率高线性度包络调制器

权利要求书

1.一种高效率高线性度包络调制器，其特征在于：

包括依次连接的包络整形单元(1)、偏置跟踪单元(2)、线性放大级(3)、电流感应单元(4)、迟滞比较器(5)、开关驱动单元(6)和开关放大级(7)；

包络整形单元(1)，对输入包络进行直流移位和削峰的处理后输入到线性放大级和偏置跟踪单元；

偏置跟踪单元(2)，将线性放大级的AB类输出NMOS晶体管栅极电压反馈给包络整形单元(1)，并使得包络整形单元(1)输出正的移位电压；

线性放大级(3)，包括折叠式宽带运算放大器OTA、AB类输出Buffer、电阻反馈网络；所述的AB类输出Buffer包括第一晶体管M1和第二晶体管M2；所述的线性放大级(3)，将通过其电阻反馈网络的包络信号进行线性放大整形，并同时补偿开关放大级(7)产生的纹波电流；

电流感应单元(4)，检测线性放大级(3)的输出电流；该输出电流在电流感应单元(4)的传感电阻R_sen上产生压降，该压降与迟滞比较器(5)的窗口电压进行比较，若迟滞比较器输出电压为低电平则开关放大级(7)中的第五晶体管M5开启、第六晶体管M6关断，若迟滞比较器输出电压为高电平则第五晶体管M5关断、第六晶体管M6开启；

开关驱动单元(6)，用于加强迟滞比较器(5)输出信号以驱动开关放大级(7)工作；

开关放大级(7)，用于给负载提供绝大部分的电流，其余电流由线性放大级(3)提供；

所述的包络整形单元(1)的输入端接包络信号，其输出端接偏置跟踪单元(2)的输入端；AB类输出Buffer的第二晶体管M2的栅极电压连接偏置跟踪单元(2)；偏置跟踪单元(2)的输出端反馈到包络整形单元(1)；AB类输出Buffer的第一晶体管M1的栅极连接到电流感应单元(4)的第三晶体管M3的栅极，第二晶体管M2的栅极连接到电流感应单元(4)的第四晶体管M4的栅极；电流感应单元(4)的第三晶体管M3和第四晶体管M4的漏极以及电流感应电阻R_sen的正端，同时连接到迟滞比较器(5)的正输入端；迟滞比较器(5)的输出端连接到开关驱动单元(6)的输入端；开关驱动单元(6)的输出端连接到开关放大级(7)的输入端；开关放大级(7)的输出端、第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极、电流感应电阻R_sen的负端和迟滞比较器(5)的负输入端同时连接到负载电阻R_load的正端，该负载电阻R_load的正端电压作为包络调制器的输出信号；

所述包络整形单元(1)包括跨导级(8)、V-I转换单元(9)、偏置反馈单元(10)、第二十晶体管M20、第二十一晶体管M21、第二十五晶体管M25和第二十六晶体管M26；第二十晶体管M20和第二十一晶体管M21为一对电流镜，第二十五晶体管M25和第二十六晶体管M26为电流偏置晶体管；跨导级(8)的输出连接至V-I转换单元(9)的输入，偏置反馈单元(10)的输出连接V-I转换单元(9)。