[发明专利]用于双备份单片机闪存的数据恢复方法及装置

说明书

本发明涉及单片机闪存技术领域。本发明一实施例提供一种用于双备份单片机闪存的数据恢复方法及装置，其中该方法包括：获取待写入至单片机的闪存的第一数据；更新用于双备份所述第一数据的第一存储页和第二存储页；当发生闪存硬性故障时，读取所述第一存储页和所述第二存储页中已拷贝的数据；基于所读取的该已拷贝的数据，覆盖所述第一存储页和所述第二存储页中的数据。由此，当发生闪存硬性故障时，读取正被更新的第一存储页和第二存储页中已拷贝的数据，并将所读取的数据覆盖至第一存储页和第二存储页，能够有效将单片机恢复到正常的读写状态。

技术领域

本发明涉及单片机闪存技术领域，具体地涉及一种用于双备份单片机闪存的数据恢复方法及装置。

背景技术

单片机运行主要是通过对单片机内部硬件进行操作，并将操作配置保存到内部flash，但是在操作flash的时候外部环境有可能对flash造成硬性，如静电、电压、高温等，如果单片机flash出现异常就不能保证产品的正常工作。

嵌入式MCU在操作时会将需要保存的数据保存到闪存flash中。MCU在工作时出现上下电等供电电压或电流发生的情况，因此对操作flash对，操作逻辑采用双备份的方式，即在数据存储时将数据存储到两个片区page1，page2。第一次操作时先将数据写入page1中，如果对应位置存储的数据发生变化时，先将数据写入page2（先全部擦除）中，然后再把page1中未改变的数据写入page2中。再有数据变化时把page1中的数据进行全部擦除，再写入，从而实现在出现异常时有一个片区的数据是完整的。

但是，在实际操作中会出现突然断电或其他原因造成异常时，然后将备份的page1中的数据写入page2中，先将page2进行擦除操作。但是在读取page1数据的时读取出现异常，就有可能出现两个片区的数据同时出现异常，此时page1中的数据是异常的，造成微控制器MCU无法正常工作，也不能恢复。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种用于双备份单片机数据恢复方法及装置，用以至少解决现有技术中双备份单片机闪存因硬性操作异常所导致的数据无法恢复的技术问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种用于双备份单片机闪存的数据恢复方法，包括：获取待写入至单片机的闪存的第一数据；更新用于双备份所述第一数据的第一存储页和第二存储页；当发生闪存硬性故障时，读取所述第一存储页和所述第二存储页中已拷贝的数据；基于所读取的该已拷贝的数据，覆盖所述第一存储页和所述第二存储页中的数据。

本发明实施例另一方面提供一种用于双备份单片机数据恢复装置，包括：获取单元，用于获取待写入至单片机的闪存的第一数据；更新单元，用于更新用于双备份所述第一数据的第一存储页和第二存储页；读取单元，用于当发生闪存硬性故障时，读取所述第一存储页和所述第二存储页中已拷贝的数据；覆盖单元，用于基于所读取的该已拷贝的数据，覆盖所述第一存储页和所述第二存储页中的数据。

本发明实施例又一方面提供一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请上述的用于双备份单片机闪存的数据恢复方法。

通过上述技术方案，当发生闪存硬性故障时，读取正被更新的第一存储页和第二存储页中已拷贝的数据，并将所读取的数据覆盖至第一存储页和第二存储页，能够有效将单片机恢复到正常的读写状态。

本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：