[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

说明书

本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70)；及控制装置(50)，构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

技术领域

本申请主张基于2017年5月31日申请的日本专利申请第2017-107477号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及离子注入方法。

背景技术

一直以来，已知有如下离子转换机，其具备：设置于离子束的行进路径上并能够使离子束透射的部件；及涂布于该部件的表面，通过与离子束的冲撞，离子束的极性被转换的极性转换物质。

专利文献1：日本特开2000-156172号公报

半导体制造工序中，为了改变导电性的目的、改变半导体晶圆的晶体结构的目的等，一般实施对半导体晶圆注入离子的工序。该工序中使用的装置通常被称作离子注入装置。根据离子向晶圆表面的所希望的注入深度，确定离子注入能量。向浅区域的注入中使用低能量的离子束，向深区域的注入中使用高能量的离子束。

最近，为了向更深区域的注入，对使用比以往的高能量离子注入更高的能量的离子束的所谓的超高能量离子注入的要求正在提高。加速为超高能量的离子有可能与存在于离子注入装置的射束线的部件冲撞而引起核反应。根据所发生的核反应，有可能产生中子束或伽玛射线等放射线。有时还有可能生成放射性物质。

发明内容

本发明的一方式的例示性目的之一在于应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。

根据本发明的一方式，离子注入装置具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承由包含与所述第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体；及控制装置，构成为运算通过所述第1非放射性核种与所述第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

根据本发明的一方式，离子注入装置具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承具有第1被照射区域及第2被照射区域的离子束被照射体；及控制装置，构成为如下，即，所述离子束的能量位于第1能量区域时选择所述第1被照射区域，所述离子束的能量位于比所述第1能量区域高的第2能量区域时选择所述第2被照射区域。所述射束线具备相对位置调整机构，其构成为以使所述第1非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。所述第1被照射区域由包含与所述第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的第1固体材料形成。所述第2被照射区域由以比所述第1固体材料低的浓度包含所述第2非放射性核种或不包含所述第2非放射性核种的第2固体材料形成。

根据本发明的一方式，离子注入方法具备：生成包含第1非放射性核种的离子的离子束的步骤；支承由包含与所述第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体的步骤；及运算通过所述第1非放射性核种与所述第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个的步骤。

另外，以上的构成要件的任意的组合或在方法、装置、系统、计算机程序、数据结构、记录介质等之间相互置换本发明的构成要件或表达的方式也作为本发明的方式而有效。

发明的效果

根据本发明，能够应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。

附图说明