[发明专利]一种高比表面积的CN材料、制备方法以及用途有效
申请号: | 201810508052.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108467020B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 李梅生;王杰;赵宜江;周守勇;薛爱莲;楮效中;吴飞跃;杨大伟 | 申请(专利权)人: | 淮阴师范学院 |
主分类号: | C01B21/082 | 分类号: | C01B21/082;B01J27/24;B01J35/10;C02F1/30;C02F1/28;B01J20/22;B01J20/28;C02F101/34;C02F101/38 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 邓唯 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面积 cn 材料 制备 方法 以及 用途 | ||
本发明公开了一种多孔TMC掺杂的具有大比表面的CN材料的制备方法,将三聚氰胺、一定量的TMC和溶剂加入到螺纹瓶中,在不同温度条件下磁力搅拌;溶液条件下球磨分散结合超声分散,将得到的悬浮液进行真空抽滤、冷冻干燥、真空干燥等工艺得到白色沉淀物;对白色的沉淀物过筛转移到半封闭的船型瓷舟中,置于管式炉中,进行高温焙烧和热氧化“刻蚀”。本发明的CN材料比表面积大,片层结构和大孔结构明显,具有良好的吸附性能和光催化性能。可以进一步在膜填充剂、电传感器、光催化剂等中得到广泛的应用。
技术领域
本发明属于以用1,3,5-苯三甲酰氯(TMC)在不同的溶剂(H2O、CH3COOH、TEP、DMAc和DMF)中原位掺杂改性三聚氰胺,结合球磨、磁力搅拌、超声分散、冷冻干燥和程序高温焙烧等工艺,以制备含有大比表面的碳氮(CN)材料,具体涉及CN材料的制备方法。
背景技术
类石墨相氮化碳(g-C3N4)具有类石墨烯的2维纳米层状结构,基本骨架结构由与叔氨基连接的3-三嗪环单元组成,呈现出优异的机械性能、化学稳定性和热稳定性,其在整个层状结构中具有规则分布的三角形水选择性渗透纳米孔。此外,g-C3N4晶格中存在周期性的空穴缺陷,通过弱范德华力相互作用的g-C3N4纳米片之间的间隔物也为水运输提供了纳米通道,同时抑制大分子的选择性透过。由于这种独特的纳米片结构,g-C3N4在诸如膜分离材料,光催化,电子器件等许多领域具有广泛地应用。g-C3N4晶格结构中含有一定量的-NH2和-NH活性基团,这使得g-C3N4具有较强的亲水性,从而在水中具有良好分散性;更重要的是,g-C3N4无毒无污染、原料成本低、制备合成工艺简单,在实验室中,可以在温和的条件下由一系列含碳富氮的前驱物(单氰胺、三聚氰胺等)进行大量合成制备。
到目前为止,制备g-C3N4的主要方法是高温煅烧。然而,这种传统方法使得g-C3N4的比表面积非常小,严重限制了其在应用中的独特性能。然后,g-C3N4的比表面的增大是非常重要的。例如,在Fang等人的工作中,用无水乙二胺蚀刻后,g-C3N4的比表面积从4.7 (块状石墨碳氮化物(BCN))扩大到31.1 (g-C3N4纳米片(CNNS)) m2/g。在Zhang等人的工作中,用HCl和酒精处理前体三聚氰胺,g-C3N4的比表面积从12.7 (g-C3N4)扩大到26.2 (酸化的g-C3N4 (ag-C3N4) m2/g。在我们之前的工作中,g-C3N4的比表面积在处理后从6-10扩大到34.9 m2/g,然而,上述g-C3N4的比表面积对于应用而言仍然很小。
发明内容
本发明的技术构思是:将高温煅烧与化学缩合相结合,以制备一种多孔1,3,5-苯三甲酰氯(TMC)掺入的二维碳氮化合物材料(CN),该材料通过CONH键连接并具有周期性晶格缺陷,该二维CN材料通过三聚氰胺和1,3,5-苯三甲酰氯通过NH2和COCl的反应缩合而合成。此外,由于在550℃下进一步的煅烧和以三聚氰胺为前体的500℃热氧化“蚀刻”,该CN材料在晶格结构中可以具有大量NH和NH2基团,这可以赋予CN材料优良的性能。
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